场效应管 AP95T07GP,95T07GP
| 价 格： | 面议 | |
| 封装外形： | P-DIT/塑料双列直插 | |
| 型号/规格： | AP95T07GP,TO-220,DIP/MOS,N场,75V,80A,0.005Ω | |
| 材料： | N-FET硅N沟道 | |
| 用途： | S/开关 | |
| 品牌/商标： | AP/富鼎 | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 种类： | 绝缘栅(MOSFET) | |
| 导电方式： | 增强型 |
AP95T07GP,TO-220,DIP/MOS,N场,75V,80A,0.005Ω
产品型号:AP95T07GP
封装:TO-220
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):75
夹断电压VGS(V):±20
漏极电流Id(A):80
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.005 @VGS = 10 V
开启电压VGS(TH)(V):4
功率PD(W):300
输入电容Ciss(PF):4290 typ.
通道极性:N沟道
低频跨导gFS(s)：88
单脉冲雪崩能量EAS(mJ):450
导通延迟时间Td(on)(ns):22 typ.
上升时间Tr(ns):160 typ.
关断延迟时间Td(off)(ns):38 typ.
下降时间Tf(ns):165 typ.
温度(℃): -55 ~150
描述:75V,80A N-沟道增强型场效应晶体管
"- 所属城市：广东 深圳
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场效应管 AP2761I-A,2761I,AP2761
信息内容：AP2761I-A,TO-220F,DIP/MOS,N场,650V,10A,1Ω产品型号:AP2761I-A封装:TO-220F源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):650夹断电压VGS(V):±30漏极电流Id(A):10源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):1 @VGS = 10 V开启电压VGS(TH)(V):4功率PD(W):37输入电容Ciss(PF):2770 typ.通道极性:N沟道低频跨导gFS(s)：4.8单脉冲雪崩能量EAS(mJ):65导通延迟时间Td(on)(ns):16 typ.上升时间Tr(ns):20 typ.关断延迟时间Td(off)(ns):82 typ.下降时间Tf(ns):36 typ.温度(℃): -55 ~150描述:650V,10A N-沟道增强型场效应晶体管"
场效应管 CMU50N06L CMU70N03L 70N03
信息内容：CMU50N06L，TO-251，Cmosfet，DIP/MOS，N场，60V，50A， CMU70N03L，TO-251，，DIP/MOS，N场，30V，70A，深圳市金城微零件有限公司主要经营场效应管(MOS管),广泛应用于电池充电器，普通电源，智能开关电源，灯具、功率开关、LED、车载、玩具、电动车、电脑主板、安定器.CMOSFET系列MOS管:CMP75N03 Cmosfet TO-220 30V 80ACMP80N03 Cmosfet TO-220 30V 80ACMP100N03 Cmosfet TO-220 30V 100ACMP100N04 Cmosfet TO-220 40V 100ACMP50N06L Cmosfet TO-220 60V 45ACMP3205 Cmosfet TO-220 65V 100ACMP40P03 Cmosfet TO-220 -30V -40ACMF30N06L Cmosfet TO-220F 60V 30ACMF5N60 Cmosfet TO-220F 600V 4ACMF10N60 Cmosfet TO-220F 600V 10ACMF12N60 Cmosfet TO-220F 600V 10ACMU06N03 Cmosfet TO-251 30V 80ACMU04N03L Cmosfet TO-251 30V 80ACMU70N03L Cmosfet TO-251 30V 70ACMU30N06L Cmosfet TO-251 60V 30ACMU1N60 Cmosfet TO-251 600V 1ACMD5N50 Cmosfet SOT-252 500V 4.5ACMD06N03 Cmosfet SOT-252 30V 80ACMD40P03 Cmosfet SOT-252 -30V -30ACMU50N06L Cmosfet TO-251 60V 45ACMP30N06L Cmosfet TO-220 60V 30ACMP50N03 Cmosfet TO...
