场效应管 BTS244Z / BTS244ZE3062A
| 价 格： | 面议 | |
| 品牌/商标： | INFINEON/英飞凌 | |
| 型号/规格： | BTS244Z | |
| 种类： | 绝缘栅(MOSFET) | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 导电方式： | 增强型 | |
| 用途： | S/开关 | |
| 封装外形： | SMD(SO)/表面封装 | |
| 材料： | N-FET硅N沟道 | |
| 开启电压： | 2（V） | |
| 极间电容： | 2660（pF） | |
| 漏极电流： | 35,000（mA） | |
| 耗散功率： | 170,000（mW） |
BTS244Z中文资料：
制造商 | Infineon Technologies |
制造商零件编号 | BTS244Z E3062A |
描述 | MOSFET N-CH 55V 35A TO263-5 |
类别 | 分离式半导体产品 |
家庭 | FET -单路 |
系列 | TEMPFET® |
FET型 | MOSFET N通道，金属氧化物 |
FET特点 | 逻辑电平门 |
开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C | 13毫欧 @ 19A, 10V |
漏极至源极电压(Vdss) | 55V |
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 35A |
Id时的 Vgs(th)（） | 2V @ 130µA |
闸电荷(Qg) @ Vgs | 130nC @ 10V |
在 Vds 时的输入电容(Ciss) | 2660pF @ 25V |
功率 - | 170W |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-263-5, D²Pak(4引线 接片), TO-263BB |
供应商设备封装 | P-TO263-5 |
包装 | 带卷 (TR) |
公司照片：
dzsc/19/0949/19094985.jpg
dzsc/19/0949/19094985.jpg
dzsc/19/0949/19094985.jpg
dzsc/19/0949/19094985.jpg
备注：
1、如果您对该产品的价格、厂家、型号、图片有什么疑问，请联系我们获取该产品的信息。
2、产品繁多，未能一一上传，欢迎与我们联系咨询。
BTS244Z订购及咨询：
深圳市丰尔电子有限公司
电话：0755-83687516（7线）
商务QQ：120279071
MSN： jason-yufo@hotmail.com
E-mail：yufo_ic@163.com
手机： 13590258862 / 13531791171
更多详情请登录我们的网站：http://www.yufo-ic.cn/
- 所属城市：广东 深圳
- [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
- 联系人： 杨金海
- 电话：
- 传真：
- 手机：
- QQ ：
场效应管 BTS115 / BTS115A
信息内容：BTS115中文资料： 制造商Infineon Technologies制造商零件编号BTS115描述MOSFET N-CH 50V 15.5A TO-263类别分离式半导体产品家庭FET -单路系列TEMPFET®FET型MOSFET N通道，金属氧化物FET特点逻辑电平门开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C120毫欧 @ 7.8A, 4.5V漏极至源极电压(Vdss)50V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C15.5AId时的 Vgs(th)（）2.5V @ 1mA闸电荷(Qg) @ Vgs-在 Vds 时的输入电容(Ciss)735pF @ 25V功率 - 50W安装类型表面贴装封装/外壳TO-263-3, D²Pak (2引线 接片), TO-263AB供应商设备封装P-TO263-3包装带卷 (TR)公司照片：dzsc/19/1065/19106542.jpgdzsc/19/1065/19106542.jpgdzsc/19/1065/19106542.jpgdzsc/19/1065/19106542.jpg 备注： 1、如果您对该产品的价格、厂家、型号、图片有什么疑问，请联系我们获取该产品的信息。 2、产品繁多，未能一一上传，欢迎与我们联系咨询。 BTS115订购及咨询： 深圳市丰尔电子有限公司 电话：0755-83687516（7线） 商务QQ：120279071 MSN： jason-yufo@hotmail.com E-mail：yufo_ic@163.com 手机： 13590258862 / 13531791171 更多详情请登录我们的网站：http://www.yufo-ic.cn/
场效应管 IRFS4310 / IRFS4310TRLPBF / FS4310
信息内容：IRFS4310中文资料：制造商International Rectifier制造商零件编号IRFS4310TRLPBF描述MOSFET N-CH 100V 130A D2PAK类别分离式半导体产品家庭FET -单路系列HEXFET®FET型MOSFET N通道，金属氧化物FET特点标准型开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C7毫欧 @ 75A, 10V漏极至源极电压(Vdss)100V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C130AId时的 Vgs(th)（）4V @ 250µA闸电荷(Qg) @ Vgs250nC @ 10V在 Vds 时的输入电容(Ciss)7670pF @ 50V功率 - 300W安装类型表面贴装封装/外壳TO-263-3, D²Pak (2引线 接片), TO-263AB供应商设备封装D2PAK包装带卷 (TR) 公司照片：dzsc/19/1072/19107289.jpgdzsc/19/1072/19107289.jpgdzsc/19/1072/19107289.jpgdzsc/19/1072/19107289.jpg 备注： 1、如果您对该产品的价格、厂家、型号、图片有什么疑问，请联系我们获取该产品的信息。 2、产品繁多，未能一一上传，欢迎与我们联系咨询。 IRFS4310订购及咨询： 深圳市丰尔电子有限公司 电话：0755-83687516（7线） 商务QQ：120279071 MSN： jason-yufo@hotmail.com E-mail：yufo_ic@163.com 手机： 13590258862 / 13531791171 更多详情请登录我们的网站：http://www.yufo-ic.cn/
