供应场效应G4IBC30KD
| 价 格： | 2.00 | |
| 品牌： | IR/国际整流器 | |
| 型号： | G4IBC30KD | |
| 种类： | 绝缘栅(MOSFET) | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 导电方式： | 增强型 | |
| 用途： | MOS-TPBM/三相桥 | |
| 封装外形： | SMD(SO)/表面封装 | |
| 材料： | GE-P-FET锗P沟道 | |
| 开启电压： | 30（V） | |
| 夹断电压： | 30（V） | |
| 跨导： | 45（μS） | |
| 极间电容： | 45（pF） | |
| 低频噪声系数： | 45（dB） | |
| 漏极电流： | 45（mA） | |
| 耗散功率： | 45（mW） |
原装供应场效应G4IBC30KD
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"蔡楚杰
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