强势现货供应RE200B-P红外热释传感器
| 价 格： | 2.80 | |
| 材料： | 混合物 | |
| 种类： | 热敏 | |
| 加工定制： | 否 | |
| 防护等级： | 2 | |
| 材料物理性质： | 硅 | |
| 型号/规格： | RE-200B-P | |
| 材料晶体结构： | 单晶 | |
| 线性度： | 45（%F.S.） | |
| 迟滞： | 0.1（%F.S.） | |
| 品牌/商标： | NICERA/尼赛拉 | |
| 输出信号： | 模拟型 | |
| 灵敏度： | 2.0×1.0mm2 | |
| 制作工艺： | 硅 |
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热释电红外传感器 RE200B-P 这种传感器是由一种晶体材料做成，当这种晶体表面受到红外线照射时，会在晶体表面产生电荷。随着光线对晶体照射的改变，电荷量也会发生改变。这个改变的电信号可以通过场效应管来进行测量，基本就是这样的一个原理制作了这样的传感器。这种传感器对于不同波长的光线照射都能产生不同程度的响应，因此在传感器前会加入一个滤镜窗口，这就是为什么我们能看到的re200b的to5封装形式中有一个像玻璃似的小窗。当然通过这个滤镜可以限定晶体对特定波长的光线产生响应，一般在8um~14um，这样就非常接近人体辐射的红外线波长了。大概的原理就是这样的，希望能对你有所帮助。
产品说明：
型号 RE200B-P
灵敏元面积 2.0×1.0mm2
基片材料 硅
基片厚度 0.5mm
工作波长 7-14μm
平均透过率 ＞75%
输出信号 ＞2.5V
(420°k黑体1Hz调制频率0.3-3.0Hz 带宽72.5db增益)
噪声 ＜200mV
(mVp-p) (25℃)
平衡度 ＜20%
工作电压 2.2-15V
工作电流 8.5-24μA
(VD=10V,Rs=47kΩ,25℃)
源极电压 0.4-1.1V
(VD=10V,Rs=47kΩ,25℃)
工作温度 -20℃- 70℃
保存温度 -35℃- 80℃
视场 139°×126°
说明 该传感器采用热释电材料极化随温度变化的特性探测红外辐射，采用双灵敏元互补方法抑制温度变化产生的干扰，提高了传感器的工作稳定性。
使用 1、上述特性指标是在源极电阻R2=47KΩ条件下测定的，用户使用传感器时，可根据自己的需要调整R2的大小。
2、注意灵敏元的位置及视场大小，以便得到光学设计。
3、所有电压信号的测量都是采用峰一峰值定标。平衡度B中的EA和EB分别表示两个灵敏元的电压输出信号的峰一峰值。
4、使用传感时，管脚的弯曲或焊接部位应离开管脚基部4mm以上。
5、使用传感器前，应先参考说明书，尤其要防止接错管脚
| 型号 | RE200B |
| 灵敏元面积 | 2.0×1.0mm2 |
| 基片材料 | 硅 |
| 基片厚度 | 0.5mm |
| 工作波长 | 7-14μm |
| 平均透过率 | ＞75% |
| 输出信号 | ＞2.5V |
| (420°k黑体1Hz调制频率0.3-3.0Hz 带宽72.5db增益) | |
| 噪声 | ＜200mV |
| (mVp-p) (25℃) | |
| 平衡度 | ＜20% |
| 工作电压 | 2.2-15V |
| 工作电流 | 8.5-24μA |
| (VD=10V,Rs=47kΩ,25℃) | |
| 源极电压 | 0.4-1.1V |
| (VD=10V,Rs=47kΩ,25℃) | |
| 工作温度 | -20℃- 70℃ |
| 保存温度 | -35℃- 80℃ |
| 视场 | 139°×126° |
| 说明 | 该传感器采用热释电材料极化随温度变化的特性探测红外辐射，采用双灵敏元互补方法抑制温度变化产生的干扰，提高了传感器的工作稳定性。 |
| 使用 | 1、上述特性指标是在源极电阻R2=47KΩ条件下测定的，用户使用传感器时，可根据自己的需要调整R2的大小。 2、注意灵敏元的位置及视场大小，以便得到光学设计。 3、所有电压信号的测量都是采用峰一峰值定标。平衡度B中的EA和EB分别表示两个灵敏元的电压输出信号的峰一峰值。 4、使用传感时，管脚的弯曲或焊接部位应离开管脚基部4mm以上。 5、使用传感器前，应先参考说明书，尤其要防止接错管脚 |
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