原装场效应二三极管系列 2SK2699 K2699
| 价 格： | 面议 | |
| 品牌： | TOSHIBA/东芝 | |
| 型号： | 2SK2699 K2699 | |
| 种类： | 结型(JFET) | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 导电方式： | 增强型 | |
| 用途： | MOS-TPBM/三相桥 | |
| 封装外形： | CER-DIP/陶瓷直插 | |
| 材料： | P-FET硅P沟道 | |
| 开启电压： | 33（V） | |
| 夹断电压： | 33（V） | |
| 跨导： | 33（μS） | |
| 极间电容： | 33（pF） | |
| 低频噪声系数： | 33（dB） | |
| 漏极电流： | 33（mA） | |
| 耗散功率： | 33（mW） |
原装场效应二三极管系列 2SK2699 K2699
原装场效应二三极管系列 2SK2699 K2699
2SK2699 K2699产品规格 参数
Datasheets 2SK2699
Mosfets Prod Guide
Standard Package 50
Category Discrete Semiconductor Products
Family FETs - Single
Series -
FET Type MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature Standard
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C 12A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 650 mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 1mA
Gate Charge (Qg) @ Vgs 58nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 2600pF @ 10V
Power - Max 150W
Mounting Type Through Hole
Package / Case TO-3P-3, SC-65-3
Supplier Device Package TO-3P(N)
Packaging Tube
- 所属城市：广东 深圳
- [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
- 联系人： 陈义伟
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IR场效应管 IRGP30B60KD-E IRGPS40B120UDPBF 进口全新原装
信息内容：IR场效应管 IRGP30B60KD-E IRGPS40B120UDPBF 进口全新原装 IR场效应管 IRGP30B60KD-E IRGPS40B120UDPBF 进口全新原装 IRGP30B60KD-E 产品规格 参数 Datasheets IRGP30B60KD-EPProduct Photos IRGP30B60KD-EPCatalog Drawings IRG Series CircuitIR Transistor TO-247ADStandard Package 25Category Discrete Semiconductor ProductsFamily IGBTs - SingleSeries -IGBT Type NPTVoltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600VVce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.35V @ 15V, 30ACurrent - Collector (Ic) (Max) 60APower - Max 304WInput Type StandardMounting Type Through HolePackage / Case TO-247-3 (TO-247AD)Supplier Device Package TO-247ADPackaging BulkCatalog Page 1296 (US2011 PDF)Other Names *IRGP30B60KD-EP
