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场效应管IR系列产品 IRFZ34 IRFZ34N 30A 55V 70W 原装进囗

价 格: 1.40
品牌/商标:IR/国际整流器
型号/规格:IRFZ34NPBF
种类:绝缘栅(MOSFET)
沟道类型:N沟道
导电方式:增强型
用途:SW-REG/开关电源
封装外形:CER-DIP/陶瓷直插
材料:GE-N-FET锗N沟道

数据列表产品相片产品目录绘图标准包装类别家庭系列FET 型FET 特点漏极至源极电压(Vdss)电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C开态Rds()@ Id, Vgs @ 25° CId 时的 Vgs(th)()闸电荷(Qg) @ Vgs输入电容 (Ciss) @ Vds功率 - 安装类型封装/外壳供应商设备封装包装产品目录页面其它名称
IRFZ34NPbF
TO-220-3, TO-220AB
IR Hexfet TO-220AB
50
分离式半导体产品
FET - 单
HEXFET®
MOSFET N 通道,金属氧化物
标准型
55V
29A
40 毫欧 @ 16A, 10V
4V @ 250µA
34nC @ 10V
700pF @ 25V
68W
通孔
TO-220-3
TO-220AB
管件
1518 (CN2011-ZH PDF)
*IRFZ34NPBF

经营  二三极管  场效应管 可控硅   整流桥   CYT电源管理  经营品牌   保征质dzsc/19/0928/19092856.jpg

东莞市东城满通电子经营部
公司信息未核实
  • 所属城市:广东 东莞
  • [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
  • 联系人: 邹德庆
  • 电话:
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  • 手机:13580886332
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数据列表MJ15011,2产品相片TO-3 Pkg产品变化通告Product Obsolescence 14/Apr/2010产品目录绘图Transistor TO-3 Pkg标准包装100类别分离式半导体产品家庭晶体管(BJT) - 单路系列-晶体管类型NPN电流 - 集电极 (Ic)()10A电压 - 集电极发射极击穿()250VIb、Ic条件下的Vce饱和度()1V @ 400mA, 4A电流 - 集电极截止()1mA在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)20 @ 2A, 2V功率 - 200W频率 - 转换-安装类型通孔封装/外壳TO-204AA, TO-3供应商设备封装TO-3包装托盘其它名称MJ15011GOSdzsc/19/0930/19093056.jpg"

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