价 格: | 0.80 | |
是否提供加工定制: | 否 | |
品牌/商标: | Samsung/三星 | |
型号/规格: | TIP127 | |
应用范围: | 达林顿 | |
材料: | 硅(Si) | |
极性: | PNP型 | |
击穿电压VCBO: | VCEO=100(V) | |
集电极允许电流ICM: | 5(A) | |
集电极耗散功率PCM: | 65(W) | |
结构: | 外延型 | |
封装形式: | TO-220 | |
封装材料: | 树脂封装 |
描述
图片只做观看之用,请参考产品描述. dzsc/19/0928/19092829.jpg dzsc/19/0928/19092829.jpg
Features• 9.5A, 200V, RDS(on) = 0.36Ω @VGS = 10 V• Low gate charge ( typical 20 nC)• Low Crss ( typical 40.5 pF)• Fast switching• 100% avalanche tested• Improved dv/dt capability. dzsc/19/1060/19106077.jpg