现货热销仙童FQA24N60
| 价 格： | 面议 | |
| 品牌： | FAIRCHILD/仙童 | |
| 型号： | FQA24N60 | |
| 种类： | 绝缘栅(MOSFET) | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 导电方式： | 增强型 | |
| 用途： | A/宽频带放大 | |
| 封装外形： | CER-DIP/陶瓷直插 | |
| 材料： | ALGaAS铝镓砷 | |
| 开启电压： | 1（V） | |
| 夹断电压： | 1（V） | |
| 跨导： | 1（μS） | |
| 极间电容： | 1（pF） | |
| 低频噪声系数： | 1（dB） | |
| 漏极电流： | 1（mA） | |
| 耗散功率： | 1（mW） |
仙童 MOS IGBT 场效应管
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- 所属城市：广东 深圳
- [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
- 联系人： 杨宝林
- 电话：755-88250321
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飞捷出售BAS16仙童
信息内容：原装，现货热卖 制造商:Fairchild Semiconductor产品种类:整流器RoHS:dzsc/19/0926/19092690.jpg 详细信息 产品:Ultra Fast Recovery Rectifiers配置:Single反向电压:85 V正向电压下降:1.25 V at 0.15 A恢复时间:6 ns正向连续电流:0.2 A浪涌电流:2 A反向电流 IR:1 uA安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:SOT-23封装:Reel工作温度: 150 C 最小工作温度:- 55 C 功率耗散:0.35 W 工厂包装数量:3000 零件号别名:BAS16_NL
特价热销仙童FGB40N6S2
信息内容：仙童 MOS IGBT 场效应管Manufacturer:Fairchild Semiconductor Product Category:IGBT Transistors RoHS:dzsc/19/0936/19093605.jpg Details Package / Case:TO-263AB Collector- Emitter Voltage VCEO Max:600 V Collector-Emitter Breakdown Voltage:600 V Collector-Emitter Saturation Voltage:1.9 V Maximum Gate Emitter Voltage:20 V Continuous Collector Current Ic Max:75 A Gate-Emitter Leakage Current: /- 250 nA Power Dissipation:290 W Packaging:Tube Configuration:Single"
