供应场效应FQPF6N60 FQPF60N60C
| 价 格： | 0.10 | |
| 品牌： | FREESCALE/飞思卡尔 | |
| 型号： | FQPF6N60C | |
| 种类： | 绝缘栅(MOSFET) | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 导电方式： | 增强型 | |
| 用途： | MOS-HBM/半桥组件 | |
| 封装外形： | P-DIT/塑料双列直插 | |
| 材料： | N-FET硅N沟道 | |
| 开启电压： | 4（V） | |
| 夹断电压： | 660（V） | |
| 低频跨导： | 15（μS） | |
| 极间电容： | 7（pF） | |
| 低频噪声系数： | 10（dB） | |
| 漏极电流： | 10（mA） | |
| 耗散功率： | 40（mW） |
FQPF6N60C| 6N60C|6N60
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FQPF6N60C简介
晶体管类型:MOSFET
晶体管极性:N
电压典型值:600V
电流连续:5.5A
开态电阻:2ohm
电压测量:10V
阈值电压典型值:4V
封装类型:TO-220F
表面安装器件:通孔安装
工作温度范围:-55- 150°C
功率, Pd:40W
功耗:40W
晶体管数:1
电压:600V
电流脉冲:22A
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