福斯特mos FIR5N60F 进口
| 价 格： | 0.12 | |
| 封装外形： | P-DIT/塑料双列直插 | |
| 型号/规格： | FIR5N60F | |
| 材料： | N-FET硅N沟道 | |
| 用途： | L/功率放大 | |
| 品牌/商标： | FIRST | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 种类： | 绝缘栅(MOSFET) | |
| 导电方式： | 增强型 |
福斯特FIR5N60F规格：
种类：绝缘栅（MOSFET）
沟道类型：N沟道
导电方式：增强型
材料：GE-N-FET锗N沟道
封装外形：P-DIT/塑料双列直插
用途：HG/高跨导
开启电压：600（V）
夹断电压：600（V）
跨导：10（μS）
极间电容：100（pF）
低频噪声系数：10（dB）
漏极电流：10（mA）
耗散功率：100（mW）
场效应管基本特点
场效应管属于电压控制元件，这一点类似于电子管的三极管，但它的构造与工作原理和电子管是截然不同的，与双极型晶体管相比，场效应晶体管具有如下特点：
（1）场效应管是电压控制器件，它通过VGS来控制ID;
（2）场效应管的输入端电流极小，因此它的输入电阻很大。
（3）它是利用多数载流子导电，因此它的温度稳定性较好；
（4）它组成的放大电路的电压放大系数要小于三极管组成放大电路的电压放大系数；
（5）场效应管的抗辐射能力强；
（6）由于不存在杂乱运动的少子扩散引起的散粒噪声，所以噪声低。
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