体积小薄膜电容厂家 CBB-B 822J250V P10
| 价 格： | 0.03 | |
| 额定电压： | 100，250，400，630，1000（V） | |
| 功率特性： | 大功率 | |
| 调节方式： | 固定 | |
| 标称容量： | 0.001-3.3（uF） | |
| 频率特性： | 高频 | |
| 应用范围： | 高频消振 | |
| 型号： | 山锐，SR | |
| 温度系数： | -40-110摄氏度 | |
| 允许偏差： | ±5（%） | |
| 引线类型： | 同向引出线 | |
| 品牌： | 国产 | |
| 耐压值： | 250（V） | |
| 损耗： | ≤0.1% | |
| 介质材料： | 有机薄膜 | |
| 外形： | 长方形 |
金属化聚丙烯膜塑壳电容器 CBB21-B 822J250V P10
Metallized Polypropylene Film Capacitor –Box Type：CBB21-B
为无感结构，用金属化聚酯膜作为电介质/电极绕制而成，导线采用镀锡铜包钢钱，使用环氧树脂密封在塑壳内。
Are non-inductively wound with metalized polypropylene film as dielectric/electrode with copper-clad steel leads and encapsulated in a plastic case sealed with epoxy resin.
◆ 特性：
● 损耗因素小、绝缘电阻高
● 高频损耗小/内部温升小
● 塑料外壳，阻燃环氧填充
◆ Features：
● Low dissipation factor high insulation resistance.
● Low loss at high frequency/Small inherent temperature rise.
● Plastic case, Epoxy resin sealing.
◆ 主要用途：
● 高压、大电流的脉冲电路中。
● 电子照明（如电子镇流器、E-HID）
● 高频交流负荷。
● 彩电的S校正电路设计，应急灯、开关电源、定时、振荡回路。
◆ Typical Applications：
● Pus applications with high A.C. voltage and high current.
● Electric lighting (i.e. Electric ballast, E-HID)
● High-frequencies A.C. loads.
● TV S correct circuit design, emergency light, switch power, timing, oscillation loop.
dzsc/19/0901/19090163.jpg
dzsc/19/0901/19090163.jpg
- 所属城市：广东
- [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
- 联系人： 邓建
- 电话：86075561112081
- 传真：86075561112103
- 手机：13798459805
- QQ ：
【免费试用】X2-275V-225K 2.2UF 脚距P=27.5 安规电容【包邮】
信息内容：金属化聚丙烯膜抗干扰电容器X2-MPX/MKP 为无感结构，用金属化聚丙烯膜作为电介质/电极绕制而成,导线采用镀锡铜包钢钱，使用环氧树脂密封在塑壳内。 ◆ 特性：● 塑料外壳封装，外观一致性好● 能承受过压冲击● 优异的阻燃性能● 能承受2.5KV的脉冲电路，属X2类 ◆ 主要用途：● 广泛用于电源跨线降噪抑制干扰电路，及交流场合。● 电网电源供电的电子仪器和电子设备,开关、触点等产生火花放电的部位。● 电动工具、灯饰、风筒、热水器等家用电器。dzsc/19/0946/19094665.jpgdzsc/19/0946/19094665.jpg"
金属化薄膜电容器 CBB21 400V/225J
信息内容：产品名称：金属化聚丙烯膜电容器产品型号：CBB21为无感结构，用金属化聚酯薄膜作为电介质/电极绕制而成，导线采用镀镀锡铜包钢线，使用环氧树脂包树。容量范围宽，体积小 自愈性好，寿命长 适用于直流和VHF级信号的隔直流、旁路和耦合 广泛用于滤波、降噪、低脉冲电路 引用标准 GB 10190-88(IEC 60384-16) 气候类别 40/85/21 额定温度 85℃ 额定电压 100/160V、200/250V、400V、630V 电容量范围 0.0033μF～10.0μF 电容量偏差 ±5%(J),±10%(K),±20%(M) 耐电压 1.6UR(5s) 损耗角正切 ≤10×10-4（1kHz,20℃） 绝缘电阻 ≥25 000MΩ，CR≤0.33μF (20℃,1min) ≥ 7500s，CR>0.33μF
