代理全新原装FQPF5N60C场效应管5A600V
| 价 格： | 0.93 | |
| 品牌/商标： | AOKE | |
| 型号/规格： | FQPF5N60C | |
| 种类： | 绝缘栅(MOSFET) | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 导电方式： | 耗尽型 | |
| 用途： | ZF/中放 | |
| 封装外形： | CER-DIP/陶瓷直插 | |
| 材料： | GE-N-FET锗N沟道 | |
| 开启电压： | 30（V） | |
| 夹断电压： | 5（V） | |
| 极间电容： | 1（pF） | |
| 低频噪声系数： | 1（dB） | |
| 漏极电流： | 1（mA） | |
| 耗散功率： | 1（mW） |
dzsc/19/0890/19089076.jpg
dzsc/19/0890/19089076.jpg
dzsc/19/0890/19089076.jpg
强势代理FQPF5N60C 场效应管 TO-220F封装
广泛应用于:风扇控制板，控制电源，LED驱动电源,路灯电源,灯杯电源,LCD电源、机箱电源、逆变器
诚征分销商.
规格书:
http://www.hbic.cn/aoke/down/fqpf5n60c.pdf
600V N-Channel MOSFET
Features
■ 4.5A,600v,RDS(on)=2.2?@VGS=10V
■ Low gate charge
■ Low Crss (typical 14pF)
■ Fast switching
■ 100% AvalancheTested
■ Improved dv/dt capability
■ ROHS product
General Description
This Power MOSFET is produced using AOKE’s advanced
planar stripe, DMOS technology.This latest technology has been
especially designed to minimize on-state resistance, have a high
rugged avalanche characteristics, such as fast switching time,low
on resistance.low gate charge and especially excellent avalanche
characteristics. This power MOS ET is usually used at AC F
adaptors, on the battery charger and SMPS
"
- 所属城市：广东 深圳
- [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
- 联系人： 罗少聪
- 电话：755-83013455
- 传真：755-83013455
- 手机：
- QQ ：
IRG4PH40U 原装 IGBT 41A 1200V 100W TO-247
信息内容：全新原装IGBT 41A 1200V 160W N沟 dzsc/19/0890/19089087.jpgdzsc/19/0890/19089087.jpgdzsc/19/0890/19089087.jpgdzsc/19/0890/19089087.jpg
原装IGBT管IRG4PH30KD 20A 1200V 100W N沟
信息内容：全新原装IGBT 20A 1200V 100W N沟 dzsc/19/0948/19094841.jpgdzsc/19/0948/19094841.jpgdzsc/19/0948/19094841.jpgdzsc/19/0948/19094841.jpgdzsc/19/0948/19094841.jpg
