2N6314 三极管
| 价 格： | 面议 | |
| 加工定制： | 是 | |
| 品牌/商标： | 国产 | |
| 型号/规格： | 2N6314 | |
| 应用范围： | 功率 | |
| 材料： | 硅(Si) | |
| 极性： | PNP型 | |
| 击穿电压VCEO： | -（V） | |
| 集电极允许电流ICM： | -（A） | |
| 集电极耗散功率PCM： | -（W） | |
| 截止频率fT： | -（MHz） | |
| 结构： | 点接触型 | |
| 封装形式： | F-1 | |
| 封装材料： | 金属封装 |
DESCRIPTION
·Collector-Emitter Sustaining Voltage-
: VCEO(SUS)= -80V(Min)
·LowCollector Saturatioin Voltage-
: VCE(sat)= -0.7V(Max.)@ IC= -1.5A
·DC Current Gain-
: hFE= 25-100@ IC= -1.5A
APPLICATIONS
·Designed for general-purpose amplifier and switching
applications.
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃)
SYMBOL | PARAMETER | VALUE | UNIT |
VCBO | Collector-Base Voltage | -80 | V |
VCEO | Collector-Emitter Voltage | -80 | V |
VEBO | Emitter-Base Voltage | -5 | V |
IC | Collector Current-Continuous | -5 | A |
ICM | Collector Current-Peak | -10 | A |
IB | Base Current-Continuous | -2 | A |
PC | Collector Power Dissipation @ TC=25℃ | 75 | W |
TJ | JunctionTemperature | 200 | ℃ |
Tstg | StorageTemperature Range | -65~200 | ℃ |
THERMAL CHARACTERISTICS
SYMBOL | PARAMETER | MAX | UNIT |
Rth j-c | Thermal Resistance,Junction to Case | 2.32 | ℃/W |
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
TC=25℃unless otherwise specified
SYMBOL | PARAMETER | CONDITIONS | MIN | TYP. | MAX | UNIT |
VCEO(SUS) | Collector-Emitter Sustaining Voltage | IC= -100mA; IB= 0 | -80 |
|
| V |
VCE(sat)-1 | Collector-Emitter Saturation Voltage | IC= -1.5A; IB= -0.15A |
|
| -0.7 | V |
VCE(sat)-2 | Collector-Emitter Saturation Voltage | IC= -3A; IB= -0.3A |
|
| -2.0 | V |
VCE(sat) | Collector-Emitter Saturation Voltage | IC= -5A; IB= -1.25A |
|
| -4.0 | V |
VBE(on) | Base-Emitter On Voltage | IC= -1.5A ; VCE= -2V |
|
| -1.4 | V |
ICEX | Collector Cutoff Current | VCE=-80V;VBE(off)= 1.5V VCE=-80V;VBE(off)= 1.5V;TC=125℃ |
|
| -0.1 -1.0 | mA |
ICEO | Collector Cutoff Current | VCE= -70V; IB= 0 |
|
| -1.0 | mA |
ICBO | Collector Cutoff Current | VCB= -80V; IE= 0 |
|
| -50 | μA |
IEBO | Emitter Cutoff Current | VEB= -5V; IC= 0 |
|
| -0.5 | mA |
hFE-1 | DC Current Gain | IC= -0.5A ; VCE= -2V | 40 |
|
|
|
hFE-2 | DC Current Gain | IC= -1.5A ; VCE= -2V | 25 |
| 100 |
|
hFE-3 | DC Current Gain | IC= -3A ; VCE= -2V | 10 |
|
|
|
hFE-4 | DC Current Gain | IC= -5A ; VCE= -4V | 4 |
|
|
|
fT | Current-Gain—Bandwidth Product | IC= -0.5A; VCE= -10V, ftest= 1MHz | 4 |
|
| MHz |
COB | Output Capacitance | IE= 0;VCB= -10V; ftest= 0.1MHz |
|
| 300 | pF |
- 所属城市：陕西 西安
- [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
- 联系人： 李云成
- 电话：86 029 85361257/85266653/85211502
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- 手机：13572063766
- QQ ：
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