典型应用
a)通讯、导航、雷达、侦察等领域。
技术指标
频率:100MHz
波形:正弦波
输出功率:≥7dBm(50Ω负载)
谐波:≤-30dBc
杂散:≤-80dBc
出厂校准:≤±0.01ppm
年老化:≤±0.5ppm(年)
日老化率:≤±0.01ppm
温度特性:≤±0.5ppm(-40~85℃ @ 25℃)
电压特性:≤±0.05ppm(Vs±5%)
负载特性:≤±0.05ppm(Load±10%)
相位噪声:@ 100MHz
@ 25℃±2℃
≤-130dBc/Hz @100Hz
≤-160dBc/Hz @1KHz
≤-170 dBc/Hz @10KHz
≤-170 dBc/Hz @100KHz
牵引范围:≥±0.5ppm压控电压0~9V,正极性,中心电压:4.5±0.1V
工作电压:12±5%VDC
工作电流:≤350mA启动时
≤150mA @25℃,稳态时
工作温度:-40~+70℃
存储温度:-55~+105℃
封装尺寸:20.2×20.2×11mm
品牌/型号:压控振荡器/VCTCXO DIP 加工定制:是 种类:振荡器 标称频率:6~160.000(MHz) 调整频差:30(MHz) 温度频差:30(MHz) 总频差:30(MHz) 负载电容:0(pF) 负载谐振电阻:30(Ω) 激励电平:0(mW) 基准温度:60(℃) 插入损耗:0(dB) 阻带衰减:0(dB) 压控振荡器作用利用压控振荡器来控制频率 高频压控振荡器的电压控制频率部份, 通常是用变容二极管 C 与电感 L, 所接成的 LC 谐振电路。提高变容二极管的逆向偏压, 二极管内的空泛区会加大, 两导体面之距离一变长, 电容就降低了, 此 LC 电路的谐振频率, 就会被提高. 反之, 降低逆向偏压时, 二极管内的电容变大, 频率就会降低. 而低频压控振荡器则依照不同频率而选择不同的方法,例如以改变对电容的充电速率为手段来得到一个电压控制的电流源。参见波型产生器。 电压控制的晶振器 一个“压控石英振荡器(voltage-controlled crystal oscillator, VCXO)”通常被使用在下列场合:当频率需要在小范围内的调整时、当正确的频率或相位对于振荡器而言是十...
电压控制晶体振荡器 电压控制晶体振荡器(VCXO),是通过施加外部控制电压使振荡频率可变或是可以调制的石英晶体振荡器。在典型的VCXO中,通常是通过调谐电压改变变容二极管的电容量来“牵引”石英晶体振子频率的。VCXO允许频率控制范围比较宽,实际的牵引度范围约为±200ppm甚至更大。如果要求VCXO的输出频率比石英晶体振子所能实现的频率还要高,可采用倍频方案。扩展调谐范围的另一个方法是将晶体振荡器的输出信号与VCXO的输出信号混频。与单一的振荡器相比,这种外差式的两个振荡器信号调谐范围有明显扩展。 在移动通信基地站中作为高精度基准信号源使用的VCXO代表性产品是日本精工·爱普生公司生产的VG-2320SC。这种采用与IC同样塑封的4引脚器件,内装单独开发的专用IC,器件尺寸为 12.6mm×7.6mm×1.9mm,体积为0.19。其标准频率为12~20MHz,电源电压为3.0±0.3V,工作电流不大于2mA,在-20~+75℃范围内的频率稳定度≤±1.5ppm,频率可变范围是±20~±35ppm,启动振荡时间小于4ms。 松季电子生产的VCXO,频率覆盖范围为10~360MHz,频率牵引度从±60ppm到±100ppm。VCXO封装发展趋势是朝SMD方向发展,并且在电源电压方面尽可能采用3.3V。日本东...