价 格: | 0.96 | |
品牌: | 美国晶圆 | |
型号: | 4N60 | |
种类: | 绝缘栅(MOSFET) | |
沟道类型: | N沟道 | |
导电方式: | 增强型 | |
用途: | L/功率放大 | |
封装外形: | CHIP/小型片状 | |
材料: | ALGaAS铝镓砷 | |
开启电压: | 美国晶圆,高品质保障(V) | |
夹断电压: | 美国晶圆,高品质保障(V) | |
跨导: | 美国晶圆,高品质保障(μS) | |
极间电容: | 美国晶圆,高品质保障(pF) | |
低频噪声系数: | 美国晶圆,高品质保障(dB) | |
漏极电流: | 美国晶圆,高品质保障(mA) | |
耗散功率: | 美国晶圆,高品质保障(mW) |
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产品型号:6N137 产品名称: 品牌/产地:亿光EVERLIGHT/飞兆半导体(仙童公司) 封装规格:8-Pin Dual In-line Package 产品描述:8-Pin DIP 10 Mbit/s Single-Channel High Speed Logic Gate Output Optocoupler 是否含铅:未知PDF分类:IC器件 > 传感器 > 光电耦合器产品参数信息: 参数名 参数值 Breakdown Voltage BVeco MIN Current Transfer Ratio MAX Current Transfer Ratio MIN DC Forward Input Current 数据手册:文件名:6N/6N137.pdf文件大小:598.31 KB下载次数:111下载: