供应YTR12可控硅
| 价 格： | 面议 | |
| 品牌/商标： | 国产 | |
| 型号/规格： | YTR12 | |
| 控制方式： | 双向 | |
| 极数： | 三极 | |
| 封装材料： | 塑料封装 |
型号：YTR12
| VDRM, VRRM (V) | IT (max) (A) | ITSM (A) | IGT (max) (uA) | VTM (max) (V) | VTM (max) IT(A) | DIE SIZE mm2 | PACKAGE |
| min:400,max:1000 | 12 | 120 | 30000 | 2 | 18 | TO-220 |
- 所属城市：江苏 扬州
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供应KP1500普通晶闸管
信息内容：型号：KP1500功率晶闸管2.5"用途：用于相位控制的大功率晶闸管特点：全扩散结构、中心放大门极结构、阻断电压至2000V、高容量dv/dt、全压接式dzsc/19/0903/19090387.jpgdzsc/19/0903/19090387.jpgdzsc/19/0903/19090387.jpgdzsc/19/0903/19090387.jpg 公司主要产品：高频小信号晶体管、功率晶体管、达林顿管、节能灯电子镇流器晶体管、肖特基二极管、开关二极管、稳压二极管、开关三极管、IC、SCR晶闸管晶体管、大口控硅、小口控硅。 扬州晶新微电子有限公司是中日台资从事半导体分立器件生产的企业。公司成立于1998年底。公司现拥有4”平面，4”台面、5”和6”共计四条芯片生产线。其中4”平面线月生产能力30000片，5”生产线月生产能力50000片，主要生产小信号晶体管芯片、开关晶体管芯片、大功率晶体管芯片、开关二极管芯片、肖特基芯片、达林顿芯片、高频晶体管芯片和双极IC芯片；4”台面线尚在建设中，设计能力10万片/月，2010年下半年投产，主要产品有二极管、大功率三极管、可控硅、放电管等产品；建设中的6”MOS IC芯片生产线，设计能力30000片/月，预计2012年底投产，主要生产IC卡芯片、存储器芯片、单片机芯片、...
供应单向、双向可控硅 JCR0092B
信息内容：■极限参数名称符号数值单位条件重复峰值阻断电压VDRM400-1000V RMS通态电流IT（RMS）0.8A正弦波180°门极平均功率PG（AV）0.1WT=25℃，10MS浪涌电流ITSM8A正弦波,60Hz结温Tj125℃ 储存温度Tstg-40~150℃ ■断态特性特性符号条件最小值值单位重复峰值阻断电流IDRMVD=VDRM----0.1mA■通态特性(Ta=25℃)特性符号条件最小值值单位峰值通态电压VTMIT=0.8A----1.7V维持电流IHVD=24V, IGT=50mA----5mA擎住电流ILVD=12V, IGT=200 µA 10mA■门极特性(Ta=25℃)特性符号条件最小值值单位门极触发电流IGTVD=12V, RL=100Ω 120µ A门极触发电压VGTVD=12V, RL=100Ω 1.2V■开关特性特性符号条件最小值值单位临界通态电流上升率di/dtIpk=20A,IGT=20mA 50A/µS临界断态电压上升率dv/dtVD=0.67 VDRM, T=110℃20 V/µS 芯片大小：0.92mm*0.92mm外形封装：TO-92特点：先进的玻璃钝化芯片、具有灵敏的控制极触发电流、通态降压小。用途：广泛应用于漏电保护器、各种开关器、小型马达控制器、灯具继电器激励器、逻辑集成电路驱动、大功率可控硅门极驱动、摩托车点火器等线路功率控制。 公司主要产品：高频小信号晶体管、功率晶体管、达林顿管、节能灯电子镇...
