传感器，电磁阀用GDM系列 Hirschmann赫斯曼连接器
| 价 格： | 1.00 | |
| 品牌/商标： | Hirschmann赫斯曼 | |
| 型号/规格： | GDM系列 | |
| 应用范围： | 电磁阀，压力传感器，流动指示器 | |
| 种类： | 插头/插座 | |
| 接口类型： | DINRN175301-803-A(DIN 43650) | |
| 形状： | 矩形 | |
| 特性： | 防水防尘 | |
| 接触件材质： | Cu(Sn) | |
| 绝缘体材质： | PA | |
| 芯数： | 2芯十接地，3芯十接地 | |
| 针数： | 2芯十接地，3芯十接地 | |
| 线长： | 0（mm） |
描述：液压、气压、电磁开关；如电磁阀，压力传感器，流动指示器。
产品描述：耐用型直角接插件，防尘、防溅 (IEC 60529-IP65)
防震锁固，插座中央有螺丝，无需工具连接，可旋转连接
适合于宽范围的电缆直径，从 4.5mm-14mm ，使用不同的 PG 压盖密封；专利保护的组合终端，用
于连接电线与电线终端的金属或紧固叉型电缆终端套管，把他们直接连接在螺丝头下，
符合标准： DINRN175301-803-A
热力工程：气体仪表和燃油控制（GDMW）符合DIN VDE 0722/DIN 3394 T1。容易受到震动的仪器和设备，如 有轨交通工具，建筑机械，搬运系统，使用卷曲连接方法（GDMC）。
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德国hirschmann赫斯曼全系列工业连接器
信息内容：供应德国hirschmann赫斯曼全系列工业连接器常备型号：GDM 2016 (934 393-100)GDM 2009 (931 965-100)GDM 2009 J (931 236-100)GDM 2011 (931 957-100)GDM 2011 J (932 106-100)GDM 2012 J (934 441-100)GDM 2014 J (932 107-100)GDM 3016 (934 395-100)GDM 3009 (931 969-100)GDM 3009 J (932 214-100)GDM 3011 (931 952-100)GDM 3011 J (932 109-100)GDM 3012 J (932 519-100)GDM 3014 J (932 110-100)GSA 2000 N (932 967-100)GSA 3000 (932 597-100)GDML 2011 GB1 LED 24 (932 446-002)GDML 2011 LED 24 GB (932 501-002)GDML 2011 LED 24 (932 332-002)GDML 2011 LED 24 YE (932 527-002)GDML 2011 LED 24 HH P (932 444-002)GDML 2011 LED 24 HH (932 336-002)GDML 2011 LED 24 HH YE (932 640-002)GDML 2011 LED 24 VR VE (933 737-212)GDML 2011 LED 24 VR (932 521-002)GDML 2011 LED 48 HH (932 648-002)GDML 2011 LED 48 VR (933 924-212)GDML 2011 LED 48 VR VE (933 926-212)GDML 2011 GB1 LED 48 (933 925-212)GDML 2011 LED 120 YE (933 738-212)GDML 2011 LED 120 VR YE (933 927-212)GDML 2011 LED 230 YE (933 739-212)GDML 2011 LED 230 VR YE (933 916...
供应温度开关，温度传感器，温度变送器
信息内容：该温度开关用于机械、压缩机和发动机总中加热和冷却循环中的信号传递、监测和控制。当达到事先调整好的开关温度时，双金属元件进行开关动作。警告电路被开启或关闭。当到达事先设定的安全温度后开关又会达到原先状态。开关点和滞后时间可以通过开关顶部的调节旋钮调节。本体： 方形30x30mm 黄铜安装位置： 任何位置液压连接： ½" BSP 外螺纹 应用一体化DIN3869密封工作温度：-20 °C 到 100°C开关频率：30 cycles/min开关精确度： ± 3% 固定温度值可调迟滞性值：标准设定 5°C重量： 0.2 Kg机械寿命： 2x106cycles at 20°C- 电源: 24 Volt DC (1 = 正极 T = 负极)- 电子连接: 依照 DIN 43650- 电子保护: 依照 DIN 40050: IP65- 电子接触负载: 1.5 Ampère- 介质能耗: 20 mA- 存储: EEPROM "
