华强实体店供应MOS管 SPP80N03S2L-05/2N03L05/SPP80N03/80N03
| 价 格： | 5.00 | |
| 品牌/商标： | INFINEON/英飞凌 | |
| 型号/规格： | SPP80N03S2L-05 | |
| 种类： | 绝缘栅(MOSFET) | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 导电方式： | 增强型 | |
| 用途： | SW-REG/开关电源 | |
| 材料： | N-FET硅N沟道 | |
| 开启电压： | 2-4（V） | |
| 夹断电压： | 0（V） | |
| 漏极电流： | 80A（mA） | |
| 耗散功率： | 167W（mW） |
類別 離散半導體產品
家庭 MOSFET - 單
安裝類型 通孔式
FET型 N通道
漏極至源極的電壓(Vdss) 30V
電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C 80A
開態Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C 5.2 毫歐姆 @ 55A, 10V
輸入電容(Ciss)@Vds 3320pF @ 25V
功率 - 167W
封裝 管裝
閘電流(Qg) @ Vgs 89.7nC @ 10V
封裝/外殼 TO-220AB
閘極至源極的電壓（Vgs） 20V
其他名稱 SPP80N03S2L-05 SPP80N03S2L-05IN SPP80N03S2L-05IN-ND SPP80N03S2L05X SPP80N03S2L05X-ND
- 所属城市：广东 深圳
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【华强实体店供应】原装MOSFET FQP8N60C/FQP8N60/8N60
信息内容：应用案例-电动车充电器:dzsc/19/0687/19068760.jpg 描述晶体管极性:N沟道电流, Id 连续:7.5A电压, Vds :600V在电阻RDS（上）:1ohm电压 @ Rds测量:10V阈值电压, Vgs th 典型值:4V工作温度范围:-55°C 到 150°C封装类型:TO-220针脚数:3SVHC(高度关注物质):No SVHC (15-Dec-2010)功率, Pd:147W功耗:147W外宽:10.67mm外部长度/高度:4.83mm封装类型:TO-220晶体管数:1晶体管类型:温度 @ 电流测量:25°C满功率温度:25°C漏极电流, Id 值:7.5A电压 Vgs @ Rds on 测量:10V电压, Vds 典型值:600V电压, Vgs :30V电流, Idm 脉冲:30A表面安装器件:通孔安装通态电阻, Rds on :1.2ohm阈值电压, Vgs th :4V"
【华强实体店供应】大功率肖特基二极管 MBR6060PT/MBR6060
信息内容：描述二极管类型:Schottky电压, Vrrm:60V电流, If 平均:60A正向电压 Vf :750mV电流, Ifs :500A工作温度范围:-55°C 到 125°C封装形式:SOT-93针脚数:4SVHC(高度关注物质):No SVHC (15-Dec-2010)反向电流, Ir 值:1000µA封装类型:SOT-93正向电压, 于If:750mV电流, Ifsm:500A结温, Tj :175°C表面安装器件:通孔安装
