供应三菱模块CM200DU-12E
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | CM200DU-12E | |
| 品牌/商标： | 三菱 |
供应三菱模块CM200DU-12E
IGBT判断极性
首先将万用表拨在R×1KΩ挡，用万用表测量时，若某一极与其它两极阻值为无穷大，调换表笔后该极与其它两极的阻值仍为无穷大，则判断此极为栅极(G )其余两极再用万用表测量，若测得阻值为无穷大，调换表笔后测量阻值较小。在测量阻值较小的一次中，则判断红表笔接的为集电极(C);黑表笔接的为发射极(E)。相似型号：
CM75DU-24H CM75E3U-24E CM100DU-24H CM100E3U-24E
CM150DU-24H CM150E3U-24E CM200DU-24H CM200E3U-24E
CM300DU-24H CM300E3Y-24E CM50DY-24E CM50DU-24E
CM100DY-24E CM100DU-24E CM150DY-24E CM150DU-24E
CM200DY-24E CM200DU-24E CM300DY-24E CM300DU-24E
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供应CM300E3U-12E三菱模块
信息内容：供应CM300E3U-12E三菱模块 IGBT功率模块采用IC驱动，各种驱动保护电路，高性能IGBT芯片，新型封装技术，从复合功率模块PIM发展到智能功率模块IPM、电力电子积木PEBB、电力模块IPEM。PIM向高压大电流发展，其产品水平为1200—1800A/1800—3300V，IPM除用于变频调速外，600A/2000V的IPM已用于电力机车VVVF逆变器。平面低电感封装技术是大电流IGBT模块为有源器件的PEBB，用于舰艇上的导弹发射装置。IPEM采用共烧瓷片多芯片模块技术组装PEBB，大大降低电路接线电感，提高系统效率，现已开发成功第二代IPEM，其中所有的无源元件以埋层方式掩埋在衬底中。智能化、模块化成为IGBT发展热点。 相似型号：CM600DY-24A CM800DY-24A CM1200DY-24A CM100DY-24NF CM150DY-24NF CM200DY-24NF CM300DY-24NF CM400DY-24NF CM600DY-24NF CM800DY-24NF CM1200DY-24NF CM100DY-12NF CM150DY-12NF CM200DY-12NF CM300DY-12NF CM400DY-12NF CM600DY-12NF CM800DY-12NF CM1200DY-12NF
供应CM200E3U-12E三菱模块
信息内容：供应CM200E3U-12E三菱模块 IGBT的开关作用是通过加正向栅极电压形成沟道，给PNP(原来为NPN)晶体管提供基极电流，使IGBT导通。反之，加反向门极电压消除沟道，切断基极电流，使IGBT关断。IGBT的驱动方法和MOSFET基本相同，只需控制输入极N-沟道MOSFET，所以具有高输入阻抗特性。当MOSFET的沟道形成后，从P+基极注入到N-层的空穴（少子），对N-层进行电导调制，减小N-层的电阻，使IGBT在高电压时，也具有低的通态电压。 CM50DY-24H CM300DY-28H CM75DY-24E CM75DU-24E CM75DY-24H CM50E3Y-24E CM100DY-24H CM75E3Y-24E CM150DY-24H CM100E3Y-24E CM200DY-24H CM150E3Y-24E CM300DY-24H CM200E3Y-24E CM50DU-24H CM50E3U-24E CM75DU-24H CM75E3U-24E CM100DU-24H CM100E3U-24E CM150DU-24H CM150E3U-24E CM200DU-24H CM200E3U-24E 联系人：朱小姐 电话：010--59264989/59946198 QQ:965278307/2500466708 周先生 手机：13901002894
