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FDD5612 TO-252

价 格: 1.50
品牌:LT/凌特
型号:FDD5612 TO-252
种类:绝缘栅(MOSFET)
沟道类型:N沟道
导电方式:增强型
用途:SW-REG/开关电源
封装外形:SMD(SO)/表面封装
材料:N-FET硅N沟道
开启电压:1~2.5(V)
夹断电压:60(V)
跨导:15000000(μS)
极间电容:560(pF)
低频噪声系数:1(dB)
漏极电流:22000(mA)
耗散功率:2500(mW)

VDS=60V, ID=18A, TO-252,

    RDS(ON) < 55mΩ @VGS = 10V, ID = 10A;

    RDS(ON) < 75mΩ @VGS = 4.5V, ID = 8A;

深圳市澜腾达科技有限公司
公司信息未核实
  • 所属城市:广东 深圳
  • [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
  • 联系人: 邓聪
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IRFS59N10D TO-263

信息内容:

VDS=100V, ID=40A(TC=100℃), TO-263 RDS(ON) < 26mΩ @ VGS=10V, ID= 25A; RDS(ON) < 125mΩ @ VGS=4.5V, ID= 20A.

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NTD4813N TO-252

信息内容:

VDS=30V, ID=46A,RDS(ON) < 13mΩ @VGS = 10V, ID=20A;RDS(ON) <23mΩ @VGS = 4.5V, ID=10A;

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