价 格: | 1.50 | |
品牌: | LT/凌特 | |
型号: | FDD5612 TO-252 | |
种类: | 绝缘栅(MOSFET) | |
沟道类型: | N沟道 | |
导电方式: | 增强型 | |
用途: | SW-REG/开关电源 | |
封装外形: | SMD(SO)/表面封装 | |
材料: | N-FET硅N沟道 | |
开启电压: | 1~2.5(V) | |
夹断电压: | 60(V) | |
跨导: | 15000000(μS) | |
极间电容: | 560(pF) | |
低频噪声系数: | 1(dB) | |
漏极电流: | 22000(mA) | |
耗散功率: | 2500(mW) |
VDS=60V, ID=18A, TO-252,
RDS(ON) < 55mΩ @VGS = 10V, ID = 10A;
RDS(ON) < 75mΩ @VGS = 4.5V, ID = 8A;
VDS=100V, ID=40A(TC=100℃), TO-263 RDS(ON) < 26mΩ @ VGS=10V, ID= 25A; RDS(ON) < 125mΩ @ VGS=4.5V, ID= 20A.
VDS=30V, ID=46A,RDS(ON) < 13mΩ @VGS = 10V, ID=20A;RDS(ON) <23mΩ @VGS = 4.5V, ID=10A;