1、低导通电阻常闭型:内装有采用本公司独自开发的二重扩散选择掺杂质法(DSD)制作的MOSTET.
2、小模拟信号控制:PhotoMos继电器具有很低的闭路偏置电压,要用于微小模拟信号控制而无失真。
3、高灵敏度,低导通电阻:5mA的输入电流能控制0.12A的负载电流。50欧(AQV414E)的低导通电阻,同于无金属触头所以能可靠地动作。4、低无路漏电电流:SSR有几个uA的开路漏电电流,而PhotoMos继电器即便在额定400V(AQV414E)的负载电压时也仅有100pA的漏电电流。
5、提供耐高绝缘电压5000V型:内部的输入,输出端间绝缘距离大于0.4mm,符合IEC950(高绝缘型)标准。用途:电话设备(拨号,揿按)和测量仪器。
AQV414,AQV414A,AQV414AX,AQV414AZ
AQV414E,AQV414EA,AQV414EAX,AQV414EAZ
AQV414EH,AQV414EHA,AQV414EHAX,AQV414EHAZ.
1:900MHZ 65DB以上的绝缘特性。2:900MHZ 0.2DB(实际值)的插入损失特性。3:耐环境性优异的塑料密封构造。4:耐冲击性更强。5:主要用于:各种媒体设备的高频等信号切换。民用设备:TV,卫星收音机单元。工业设备:测试仪,测试机,试验机,多重传送设备等。具体型号:ARE10A03 ARE10A4H ARE10A12 ARE10A24 ARE13A03 ARE13A4H ARE13A12 ARE13A24 ARE104H ARE1012 ARE1024
1:抗电磁干扰能强,可实现高密度安装。2:耐冲击电压1500V.FCC规格标准,实现耐高.3:包金双接点,而且低接点振动,可以发挥高接触可靠性。 4:品种齐全,用途广泛。型号:DS1E-M-3V DS1E-M-5V DS1E-M-12V DS1E-M-24V DS1E-ML-3V DS1E-ML-5V DS1E-ML-12V DS1E-ML-24VDS1E-ML2-3V DS1E-ML2-5V DS1E-ML2-12V DS1E-ML2-24VDS1E-S-3V DS1E-S-5V DS1E-S-9V DS1E-S-12V DS1E-S-24VDS1E-SL-3V DS1E-SL-5V DS1E-SL-12V DS1E-SL-24VDS1E-SL2-3V DS1E-SL2-5V DS1E-SL2-12V DS1E-SL2-24V