供应场效应管33N25
| 价 格： | 12.00 | |
| 品牌/商标： | Wisdom | |
| 型号/规格： | WFB33N25 | |
| 种类： | 绝缘栅(MOSFET) | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 导电方式： | 增强型 | |
| 用途： | SW-REG/开关电源 | |
| 封装外形： | P-DIT/塑料双列直插 | |
| 材料： | GE-N-FET锗N沟道 | |
| 低频噪声系数： | 0.1 | |
| 低频跨导： | 0.1 | |
| 漏极电流： | 0.1 |
韩国进口产品现货、质量稳定、价格合理
现货长期供应全新场效应管场效应管WFB33N25 TO-263,质量保证.随时有货.有实力的公司可以月结.欢迎来电
WFB33N25 TO-263 N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用平面VDMOS 工艺技术制造。先进的工艺及条状的原胞设计结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。
该产品可广泛应用于AC-DC开关电源，DC-DC电源转换器，高压H桥PMW马达驱动。
∗ 33A，250V，RDS(on)=0.095Ω@VGS=10V
∗ 低栅极电荷量
∗ 低反向传输电容
∗ 开关速度快
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WFB33N25 TO-263 N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用平面VDMOS 工艺技术制造。先进的工艺及条状的原胞设计结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。
该产品可广泛应用于AC-DC开关电源，DC-DC电源转换器，高压H桥PMW马达驱动。
∗ 33A，250V，RDS(on)=0.095Ω@VGS=10V
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- 所属城市：广东 深圳
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供应场效应管WFP630
信息内容：韩国进口产品现货、质量稳定、价格合理现货长期供应全新场效应管场效应管HX1N60 TO-251 TO-252,质量保证.随时有货.有实力的公司可以月结.欢迎来电WFP630 TO-220/TO-220f N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用平面VDMOS 工艺技术制造。先进的工艺及条状的原胞设计结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。该产品可广泛应用于AC-DC开关电源，DC-DC电源转换器，高压H桥PMW马达驱动。∗ 9A，200V，RDS(on)=0.4Ω@VGS=10V∗ 低栅极电荷量∗ 低反向传输电容∗ 开关速度快dzsc/19/0779/19077974.jpgWFP630 TO-220/TO-220F N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用平面VDMOS 工艺技术制造。先进的工艺及条状的原胞设计结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。该产品可广泛应用于AC-DC开关电源，DC-DC电源转换器，高压H桥PMW马达驱动。∗ 9A，200V，RDS(on)=0.4Ω@VGS=10V∗ 低栅极电荷量∗ 低反向传输电容∗ 开关速度快
供应常用场效应管(Mosfet)TO-220,
信息内容：dzsc/19/0779/19077993.jpg现货长期供应全新场效应管场效应管质量保证.随时有货.有实力的公司可以月结.欢迎来电 N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用平面VDMOS 工艺技术制造。先进的工艺及条状的原胞设计结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。该产品可广泛应用于AC-DC开关电源，DC-DC电源转换器，高压H桥PMW马达驱动。∗ 1A，600V，RDS(on)=11.5Ω@VGS=10V∗ 低栅极电荷量∗ 低反向传输电容∗ 开关速度快dzsc/19/0779/19077993.jpg N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用平面VDMOS 工艺技术制造。先进的工艺及条状的原胞设计结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。该产品可广泛应用于AC-DC开关电源，DC-DC电源转换器，高压H桥PMW马达驱动。∗ 低栅极电荷量∗ 低反向传输电容∗ 开关速度快
