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供应场效应管3QN04H2

价 格: 5.00
品牌:INFINEON/英飞凌
型号:3QN04H2
种类:绝缘栅(MOSFET)
沟道类型:N沟道
导电方式:增强型
用途:MOS-FBM/全桥组件
封装外形:SMD(SO)/表面封装
材料:GE-N-FET锗N沟道
开启电压:40(V)
夹断电压:409(V)
跨导:24500(μS)
极间电容:9600(pF)
低频噪声系数:24(dB)
漏极电流:500(mA)
耗散功率:600(mW)

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蔡楚杰
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