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仙童G10N60RUFD 现货优势

价 格: 6.50
品牌:FCH美国范恰得
型号:G10N60RUFD
种类:绝缘栅(MOSFET)
沟道类型:N沟道
导电方式:增强型
用途:MOS-INM/独立组件
封装外形:P-DIT/塑料双列直插
材料:N-FET硅N沟道
开启电压:0(V)
夹断电压:0(V)
跨导:0(μS)
极间电容:0(pF)
低频噪声系数:0(dB)
漏极电流:0(mA)
耗散功率:0(mW)

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风华电容 国巨贴片电容1210F107M6R3NT 1210 107M 100UF 6.3V20%

信息内容:

电容的主要特性参数:(1) 容量与误差:实际电容量和标称电容量允许的偏差范围。一般使用的容量误差有:J级±5%,K级±10%,M级±20%。精密电容器的允许误差较小,而电解电容器的误差较大,它们采用不同的误差等级。常用的电容器其精度等级和电阻器的表示方法相同。用字母表示:D级—±0.5%;F级—±1%;G级—±2%;J级—±5%;K级—±10%;M级—±20%。(2) 额定工作电压:电容器在电路中能够长期稳定、可靠工作,所承受的直流电压,又称耐压。对于结构、介质、容量相同的器件,耐压越高,体积越大。(3) 温度系数:在一定温度范围内,温度每变化1℃,电容量的相对变化值。温度系数越小越好。(4) 绝缘电阻:用来表明漏电大小的。一般小容量的电容,绝缘电阻很大,在几百兆欧姆或几千兆欧姆。电解电容的绝缘电阻一般较小。相对而言,绝缘电阻越大越好,漏电也小。(5) 损耗:在电场的作用下,电容器在单位时间内发热而消耗的能量。这些损耗主要来自介质损耗和金属损耗。通常用损耗角正切值来表示。(6) 频率特性:电容器的电参数随电场频率而变化的性质。在高频条件下工作的...

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