价 格: | 1.00 | |
漏极电流: | 100(mA) | |
材料: | N-FET硅N沟道 | |
种类: | 绝缘栅(MOSFET) | |
耗散功率: | 250(mW) | |
跨导: | 4000(μS) | |
型号: | 5N60 | |
封装外形: | P-DIT/塑料双列直插 | |
开启电压: | 2(V) | |
品牌: | 东光 | |
用途: | SW-REG/开关电源 | |
沟道类型: | N沟道 | |
夹断电压: | 650(V) | |
导电方式: | 耗尽型 | |
低频噪声系数: | 23(dB) | |
极间电容: | 8(pF) |
原厂直销,价格优惠,质量保证!
产品参数 T=25
Characteristics(参数) | Symbol(符号) | Value(额定值) | Units(单位) |
漏源反向击穿电压 | BV dss | 600 | V |
连续漏极电流 | I d | 5.4 | A |
栅源电压 | V gs | ±30 | V |
雪崩能量 | E as | 320 | mJ |
耗散功率 | P d | 136 | W |
储存温度 | T stg | -55~150 | ℃ |
热阻(结到壳) | R jc | 1.18 | ℃/W |
正向压降 | V sd | 1.4 | V |
硅NPN管,参数:400V,5W 4A FT=5MHZ 面对着管子正面,管脚向下,从左向右依次为:基极B 集电极C 发射极E.这管子耐压高、电流小,用于日光灯电子镇流器或小型充电器长期现货热销,原装,质量保证!欢迎来电咨询订购!联系电话:0755-29375881 周生
dzsc/19/0689/19068911.jpg直插三极管S8550 TO-92 现货热销 Complimentary to S8550•Collector Current: IC=0.8A•Collector Power Dissipation: PC=1W (TC=25×C)Absolute Maximum Ratings Ta=25×C unless otherwise notedElectrical Characteristics Ta=25×C unless otherwise notedhFEClassificationSymbol Parameter Ratings UnitsVCBO Collector-Base -30 VVCEO Collector-Emitter Voltage -20 VVEBO Emitter-Base Voltage -5 VIC Collector Current -0.8 APC Collector Power Dissipation 1 WTJ Junction Temperature 150 °CTSTG Storage Temperature -65 ~ 150 °C 库存现货,原装,质量保证!价格优惠!欢迎来电咨询订购!联系电话:0755-29375881 13723705758 周先生 业务QQ:51...