价 格: | 33.00 | |
是否提供加工定制: | 否 | |
品牌/商标: | 国产 | |
型号/规格: | SS8050 .Y1 SS8550.Y2 | |
应用范围: | 功率 | |
材料: | 硅(Si) | |
极性: | NPN型 | |
击穿电压VCEO: | 40(V) | |
集电极允许电流ICM: | 1.2/1.5(A) | |
集电极耗散功率PCM: | 0.3(W) | |
截止频率fT: | 100(MHz) | |
结构: | 点接触型 | |
封装形式: | 贴片型 | |
封装材料: | 塑料封装 |
参数名称 | 符号 | 测试条件 | 最小值 | 值 | 单位 |
集电极—基极击穿电压 | V(BR)CBO | IC=100μA,IE=0 | 40 |
| V |
集电极—发射极击穿电压 | V(BR)CEO | IC=0.1μA,IB=0 | 25 |
| V |
发射极—基极击穿电压 | V(BR)EBO | IE=100μA,IC=0 | 5 |
| V |
基极截止电流 | ICBO | VCB=40V,IE=0 |
| 0.1 | μA |
集电极截止电流 | ICEO | VCE=20V,IE=0 |
| 0.1 | μA |
发射极截止电流 | IEBO | VEB=5V,IC=0 |
| 0.1 | μA |
直流电流增益 | hFE(1) | VCE=1V,IC=100mA | 120 | 400 |
|
hFE(2) | VCE=1V,IC=800mA | 40 |
|
| |
集电极—发射极饱和电压 | VcE(sat) | IC=800mA,IB=80mA |
| 0.5 | V |
基极—发射极饱和电压 | VBE(sat) | IC=800mA,IB=80mA |
| 1.2 | V |
特征频率 | fT | VCE=10V,IC=50mA,f=30MHZ | 100 |
| MHZ |
dzsc/19/1314/19131471.jpg详细介绍S8050参数:SI-NPN小功率三极管材料:SI极性:NPNIc:500mABVcbo:40VBVceo:25VBVebo:6V封装:SOT-23 S8550参数:材料:SI极性:PNPIc:500mABVcbo:40VBVceo:25VBVebo:6V封装:SOT-23