价 格: | 面议 | |
漏极电流: | 1A | |
封装外形: | SMD(SO)/表面封装 | |
型号/规格: | MTD1N80E,MOS,800V,1A,12Ω,252 | |
材料: | N-FET硅N沟道 | |
品牌/商标: | 0N/安森美 | |
沟道类型: | N沟道 | |
种类: | 绝缘栅(MOSFET) | |
夹断电压: | 20 | |
导电方式: | 增强型 | |
极间电容: | 420 |
产品型号:MTD1N80E
封装:SOT-252
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):800
夹断电压VGS(V): 20/-20
漏极电流Id(A):1
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):12 @VGS = 10 V
开启电压VGS(TH)(V):4
功率PD(W):48
极间电容Ciss(PF):297
通道极性:N沟道
低频跨导gFS(s):0.985
单脉冲雪崩能量EAS(mJ):20
温度(℃): -55 ~150
描述:800V,1A N–Channel Enhancement–Mode Silicon Gate
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FQPF8N80C 07NPB TO-220F N场 8A 800VSSH8N80 TO-3P N场 8A 800VKIA8N80HF TO-220F KIA DIP/MOS N场 800V 8A<友情提示>具体价格视当天市场行情而定.买家请通过电话或贸易通在线联系,以确定当日市场价格。以免造成双方的误会与纠纷,谢谢您!全新!价格优惠!现货供应!700V N沟道 场效应管(MOSFET):FQPF2N70 FAIRCHILD TO-220FSTP9NK70ZFP ST TO-220F800V N沟道 场效应管(MOSFET):FQD1N80 FAIRCHILD SOT-252FQD2N80TM FAIRCHILD SOT-252SPD02N80C3 infineon SOT-252SPD04N80C3 infineon SOT-252SPD06N80C3 infineon SOT-2522SK2646 FUJ TO-220BUZ78 SIEMENS TO-220BUZ80A SIEMENS TO-220FQP3N80 FAIRCHILD TO-220FQP6N80散 FAIRCHILD TO-220IRFBE20 IR TO-220SPP11N80C3 infineon TO-220SPP17N80C3 infineon TO-2202SK2101-01MR PB FUJ TO-220FFQPF3N80 FAIRCHILD TO-220FFQPF8N80C FAIRCHILD TO-220FSPA06N80C3 infineon TO-220FSPA17N80C3 infineon TO-220FSSS4N80AS FAIRCHILD TO-220FSTF11NM80 ST TO-220FSTP3NB80FP ST TO-220FSTP3NB80FP ST TO-220FSTP5NK80ZFP ST TO-220FSTP7NC80FP ST TO-220FSTP8NK80ZFP ST TO-220FSTP9NB80FP ST TO-220FSPW11N80C3 inf...