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场效应管 MTD1N80E MTD1N80 T1N80E

价 格: 面议
漏极电流:1A
封装外形:SMD(SO)/表面封装
型号/规格:MTD1N80E,MOS,800V,1A,12Ω,252
材料:N-FET硅N沟道
品牌/商标:0N/安森美
沟道类型:N沟道
种类:绝缘栅(MOSFET)
夹断电压:20
导电方式:增强型
极间电容:420

产品型号:MTD1N80E

封装:SOT-252

源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):800

夹断电压VGS(V): 20/-20

漏极电流Id(A):1

源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):12 @VGS = 10 V

开启电压VGS(TH)(V):4

功率PD(W):48

极间电容Ciss(PF):297

通道极性:N沟道

低频跨导gFS(s):0.985

单脉冲雪崩能量EAS(mJ):20

温度(℃): -55 ~150

描述:800V,1A N–Channel Enhancement–Mode Silicon Gate

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深圳市金城微零件有限公司
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