价 格: | 面议 | |
品牌/商标: | 国产 | |
型号/规格: | S9012 | |
应用范围: | 功率 | |
材料: | 锗(Ge) | |
极性: | PNP型 | |
击穿电压VCBO: | 40(V) | |
集电极允许电流ICM: | 0.5(A) | |
集电极耗散功率PCM: | 0.625(W) | |
截止频率fT: | 150(MHz) | |
结构: | 平面型 | |
封装形式: | TO-92 | |
封装材料: | 塑料封装 |
欢迎来电查询!
FEATURE
Power dissipation
PCM: 0.625 W (Tamb=25℃)
Collector current ICM: -0.5 A
Collector-base voltage V(BR)CBO: -40 V
Operating and storage junction temperature range Tj, Tstg: -55℃ to 150℃
"厂家直销,质量保证,欢迎来电咨询! ●产品特征和主要用途:NPNPN五层结构的硅双向器件;具有自主知识产权的单面挖槽技术,台面玻璃钝化工艺;背面多层金属化电极;具有较高的阻断电压和较高的温度稳定性;主要用于:加热控制器(调温);彩灯控制器;固态继电器;吸尘器、电动工具等马达调速控制器;其它相控电路。 "
供应微触发单向可控硅 欢迎来电查询. 一.适用范围广泛应用于交流电的开关;交直流电源变换;工业和家庭电加热控制;电机调速等。二.产品特征1.内部芯片采用NPNP四层结构的硅单向器件。2.台面玻璃钝化、多层金属电极工艺。3.单面台面结构,具有门极灵敏触发,耐电流冲击能力强,低维持电流,高低温特性可靠。"