供应原装8EWS12STRL
| 价 格： | 1.00 | |
| 品牌/商标： | IR/国际整流器 | |
| 型号/规格： | 8EWS12STRL | |
| 种类： | 结型(JFET) | |
| 沟道类型： | P沟道 | |
| 导电方式： | 增强型 | |
| 用途： | HF/高频(射频)放大 | |
| 封装外形： | P-DIT/塑料双列直插 | |
| 材料： | GE-P-FET锗P沟道 |
现货批发原装进口IC，欢迎查询订购
| 产品种类: | 整流器 |
| RoHS: | 否 |
| 产品: | Standard Recovery Rectifier |
| 配置: | Single Dual Anode |
| 反向电压: | 1200 V |
| 正向电压下降: | 1.1 V |
| 正向连续电流: | 8 A |
| 浪涌电流: | 200 A |
| 反向电流 IR: | 50 uA |
| 安装风格: | SMD/SMT |
| 封装 / 箱体: | DPAK |
| 封装: | Reel |
| 工作温度: | 150 C |
| 最小工作温度: | - 55 C |
| Standard Pack Qty: | 3000 |
结型场效应管 深圳市新源江贸易有限公司
公司信息未核实
- 所属城市：广东 深圳
- [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
- 联系人： 李俊龙
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信息内容：原装现货，欢迎查询产品种类:MOSFET 功率 RoHS:dzsc/19/0681/19068170.jpg 详细信息配置:Single 晶体管极性:N-Channel电阻汲极/源极 RDS（导通）:1.4 Ohms 汲极/源极击穿电压:900 V闸/源击穿电压: /- 30 V 漏极连续电流:8 A功率耗散:85 W 工作温度: 150 C安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-3P(N)IS封装:Bulk 最小工作温度:- 55 C
