价 格: | 2.25 | |
品牌/商标: | IPS | |
型号/规格: | FTP23N10A | |
种类: | 绝缘栅(MOSFET) | |
沟道类型: | N沟道 | |
导电方式: | 增强型 | |
封装外形: | P-DIT/塑料双列直插 | |
材料: | GE-N-FET锗N沟道 | |
开启电压: | 100 | |
漏极电流: | 57000 |
VDSS RDS(ON) (Max.) ID
100V 23 m: 57A
Ordering Information
PART NUMBER PACKAGE BRAND
FTP23N10A TO-220 FTP23N10A
Absolute Maximum Ratings TC=25 oC unless otherwise specified
Symbol Parameter FTP23N10A Units
VDSS Drain-to-Source Voltage (NOTE *1) 100 V
ID Continuous Drain Current 57
ID@ 100 A oC Continuous Drain Current Figure 3*
IDM Pulsed Drain Current, VGS@ 10V (NOTE *2) Figure 6*
PD
Power Dissipation 200 W
Derating Factor above 25 oC 1.3 W/ oC
VGS Gate-to-Source Voltage ± 20 V
EAS
Single Pulse Avalanche Engergy
L=1.0 mH, ID=32 Amps 512 mJ
广泛用于电子机械和设备; 五金电子设备,电镀等产业!封装: DO-203AB 1200V/70A
1. 全抵抗值范围: B:50Ω~2MΩ A,C: 2kΩ~2MΩ 2. 全抵抗值许容差: ±10%3. 残留抵抗值: 3Ω以下 3Ωmax4. 抵抗变化特性: B 直线形 A 对数形 C 逆对数形5. 接触抵抗变化 3% 以下6. 定格电力 B:0.1W A,C: 0.05W7.使用电压 DC200V8. 抵抗温度系数 ±100ppm9. 绝缘抵抗 100MΩ以上10. 耐电压 AC500V 1minute11. 电气的回转角度 260º±10º