【华强实体店供应】原装贴片场效应管 D2N60/WFD2N60
| 价 格： | 0.80 | |
| 品牌/商标： | WISDOM | |
| 型号/规格： | WFD2N60 | |
| 种类： | 绝缘栅(MOSFET) | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 导电方式： | 增强型 | |
| 用途： | SW-REG/开关电源 | |
| 封装外形： | SMD(SO)/表面封装 | |
| 材料： | N-FET硅N沟道 | |
| 开启电压： | 2-4（V） | |
| 夹断电压： | 0（V） | |
| 极间电容： | 320（pF） | |
| 漏极电流： | 1800（mA） | |
| 耗散功率： | 2500（mW） |
標準包裝 2,000
類別 離散半導體產品
家庭 MOSFET - 單
Series QFET
安裝類型 表面黏著式
FET型 N通道
漏極至源極的電壓(Vdss) 600V
電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C 1.9A
開態Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C 4.7 歐姆 @ 950mA, 10V
Vds時的輸入電容(Ciss) 235pF @ 25V
功率 - 2.5W
封裝 編帶和捲軸封裝(TR)
閘電流(Qg) @ Vgs 12nC @ 10V
封裝/外殼 DPak,SC-63,TO-252（2引線 接頭)
FET特點 標準
- 所属城市：广东 深圳
- [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
- 联系人： 欧阳立
- 电话：755-83200113
- 传真：755-83200113
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【华强实体店供应】原装VISHAY场效应管 IRF840PBF/IRF840
信息内容：描述晶体管极性:N沟道电流, Id 连续:8A电压, Vds :500V在电阻RDS（上）:850mohm安装类型:TO-220针脚数:3SVHC(高度关注物质):No SVHC (15-Dec-2010)功率, Pd:125W功耗:125W单脉冲雪崩能量 Eas:520mJ封装类型:TO-220 (SOT-78B)封装类型, 替代:SOT-78B引脚节距:2.54mm总功率, Ptot:125W时间, trr 典型值:384ns晶体管数:1温度 @ 电流测量:25°C满功率温度:25°C电容值, Ciss 典型值:832pF电流, Idm 脉冲:32A通态电阻, Rds on @ Vgs = 10V:850mohm针脚格式:1G, (2 Tab)D, 3S针脚配置:a阈值电压, Vgs th :2V阈值电压, Vgs th :4V
供应原装ST场效应管 STP4NK60ZFP/STP4NK60/P4NK60/4N60
信息内容：描述晶体管极性:N沟道电流, Id 连续:4A电压, Vds :600V在电阻RDS（上）:2ohm电压 @ Rds测量:10V阈值电压, Vgs th 典型值:3.75V封装类型:TO-220FP针脚数:3SVHC(高度关注物质):No SVHC (15-Dec-2010)功率, Pd:25W功耗:25W单脉冲雪崩能量 Eas:120mJ封装类型:TO-220FP漏极电流, Id 值:4A电压 Vgs @ Rds on 测量:10V电压, Vds:600V电压, Vds 典型值:600V电压, Vgs :30V电容值, Ciss 典型值:510pF电流, Idm 脉冲:16A表面安装器件:通孔安装通态电阻, Rds on @ Vgs = 10V:2ohm重复雪崩电流, Iar:4A阈值???压, Vgs th :3V阈值电压, Vgs th :4.5V
