价 格: | 1.00 | |
品牌/商标: | 英飞凌,西门子 | |
型号/规格: | BUZ102S | |
种类: | 绝缘栅(MOSFET) | |
沟道类型: | N沟道 | |
导电方式: | 增强型 | |
用途: | DC/直流 | |
封装外形: | CER-DIP/陶瓷直插 | |
材料: | N-FET硅N沟道 | |
开启电压: | 22(V) | |
夹断电压: | 22(V) | |
低频跨导: | 222(μS) | |
极间电容: | 2222(pF) | |
低频噪声系数: | 2222(dB) | |
耗散功率: | 200W(mW) |
BUZ102S 42A 50V 23MOH 200W
BUZ100 50A 60V
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