| 价 格: | 1.09 | |
| 封装外形: | SMD(SO)/表面封装 | |
| 型号/规格: | STP55NF06 P55NF06 | |
| 材料: | GaAS-FET砷化镓 | |
| 用途: | MOS-FBM/全桥组件 | |
| 品牌/商标: | ST/意法 | |
| 沟道类型: | N沟道 | |
| 种类: | 结型(JFET) | |
| 导电方式: | 耗尽型 |
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STP55NF06
描述:
这些功率MOSFET已开发利用意法半导体独有的的STripFET过程,这是专门设计以减少输入电容和闸电荷。这使得设备适合使用电信和计算机应用先进的高效率的隔离式DC-DC转换器的主开关,具有低栅极电荷驾驶要求和应用
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