价 格: | 0.13 | |
品牌/商标: | YGMOS | |
型号/规格: | GT2302 | |
种类: | 绝缘栅(MOSFET) | |
沟道类型: | N沟道 | |
导电方式: | 增强型 | |
用途: | SW-REG/开关电源 | |
封装外形: | SMD(SO)/表面封装 | |
材料: | N-FET硅N沟道 |
产品相关介绍:
20V N-Channel Enhancement-Mode MOSFET 20V N沟道增强型MOS管
VDS= 20V
RDS(ON), Vgs@4.5V, Ids@2.8A = 60mΩ
RDS(ON), Vgs@2.5V, Ids@2.0A = 115mΩ
Features特性
Advanced trench process technology的加工技术
High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance极低的导通电阻高密度的单元设计dzsc/19/0528/19052848.jpg
关于我们:
深圳市永吉茂科技有限公司,专营低压MOS贴片。原厂原装,台产价格,。
SOT-23封装系列:2300 2301 2302 2312 3400 3401 3415 3416等等
SOP-8封装系列:9926 4946 4953 4410 4430 4407 4501等等
DC-DC系列:1500 1510 1503 1504 1512等
可替代萬代仙童威士等国际知名品牌!!!
联系人:陈壮辉
销售热线:0755-83742865-805 13714146305
QQ:812868828传真:0755-83742865-805
产品相关介绍:20V N-Channel Enhancement-Mode MOSFET 20V N沟道增强型MOS管VDS= 20VRDS(ON), Vgs@4.5V, Ids@5.0A = 31mΩRDS(ON), Vgs@2.5V, Ids@4.5A = 37mΩRDS(ON), Vgs@1.8V, Ids@4.0A = 47mΩFeatures特性Advanced trench process technology的加工技术High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance极低的导通电阻高密度的单元设计dzsc/19/0946/19094630.jpg关于我们: 深圳市永吉茂科技有限公司,专营低压MOS贴片。原厂原装,台产价格,。 SOT-23封装系列:2300 2301 2302 2312 3400 3401 3415 3416等等 SOP-8封装系列:9926 4946 4953 4410 4430 4407 4501等等 DC-DC系列:1500 1510 1503 1504 1512等 可替代萬代仙童威士等国际知名品牌!!! 联系人:陈壮辉 销售热线:0755-83742865-805 13714146305 QQ:812868828 传真:0755-83742865-805
产品详细描述: 20V N-Channel Enhancement-Mode MOSFET 20V N沟道增强型MOS管 VDS= 20V RDS(ON), Vgs@2.5V, Ids@5.2A = 40mΩ RDS(ON), Vgs@4.5V, Ids@6A = 30mΩ Features特性 Advanced trench process technology的加工技术 High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance极低的导通电阻高密度的单元设计 High Power and Current handing capability大功率高电流 Ideal for Li ion battery pack applications锂电池的理想选择dzsc/19/1276/19127674.jpg关于永吉茂: 深圳市永吉茂科技有限公司,专营低压MOS贴片。原厂原装,台产价格,。 SOT-23封装系列:2300 2301 2302 2312 3400 3401 3415 3416等等 SOP-8封装系列:9926 4946 4953 4410 4430 ...