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优势供应场效应管 GT2302 MOS管(图) 20V 2.3A

价 格: 0.13
品牌/商标:YGMOS
型号/规格:GT2302
种类:绝缘栅(MOSFET)
沟道类型:N沟道
导电方式:增强型
用途:SW-REG/开关电源
封装外形:SMD(SO)/表面封装
材料:N-FET硅N沟道

产品相关介绍:

20V N-Channel Enhancement-Mode MOSFET 20V N沟道增强型MOS

VDS= 20V

RDS(ON), Vgs@4.5V, Ids@2.8A = 60mΩ

RDS(ON), Vgs@2.5V, Ids@2.0A = 115mΩ

Features特性

Advanced trench process technology的加工技术

High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance极低的导通电阻高密度的单元设计dzsc/19/0528/19052848.jpg

关于我们: 

深圳市永吉茂科技有限公司,专营低压MOS贴片。原厂原装,台产价格,。

 

SOT-23封装系列:2300 2301 2302 2312 3400 3401 3415 3416等等

 

SOP-8封装系列:9926 4946 4953 4410 4430 4407 4501等等

 

DC-DC系列:1500 1510 1503 1504 1512

 

可替代萬代仙童威士等国际知名品牌!!!

 

联系人:陈壮辉

销售热线:0755-83742865-805  13714146305

QQ:812868828传真:0755-83742865-805

 

深圳市永吉茂科技有限公司
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  • 所属城市:广东 深圳
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  • 电话:0755-83742865/83742870/83742415
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信息内容:

产品相关介绍:20V N-Channel Enhancement-Mode MOSFET 20V N沟道增强型MOS管VDS= 20VRDS(ON), Vgs@4.5V, Ids@5.0A = 31mΩRDS(ON), Vgs@2.5V, Ids@4.5A = 37mΩRDS(ON), Vgs@1.8V, Ids@4.0A = 47mΩFeatures特性Advanced trench process technology的加工技术High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance极低的导通电阻高密度的单元设计dzsc/19/0946/19094630.jpg关于我们: 深圳市永吉茂科技有限公司,专营低压MOS贴片。原厂原装,台产价格,。 SOT-23封装系列:2300 2301 2302 2312 3400 3401 3415 3416等等 SOP-8封装系列:9926 4946 4953 4410 4430 4407 4501等等 DC-DC系列:1500 1510 1503 1504 1512等 可替代萬代仙童威士等国际知名品牌!!! 联系人:陈壮辉 销售热线:0755-83742865-805 13714146305 QQ:812868828 传真:0755-83742865-805

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强势供应GT9926 MOS管 20V 6A

信息内容:

产品详细描述: 20V N-Channel Enhancement-Mode MOSFET 20V N沟道增强型MOS管 VDS= 20V RDS(ON), Vgs@2.5V, Ids@5.2A = 40mΩ RDS(ON), Vgs@4.5V, Ids@6A = 30mΩ Features特性 Advanced trench process technology的加工技术 High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance极低的导通电阻高密度的单元设计 High Power and Current handing capability大功率高电流 Ideal for Li ion battery pack applications锂电池的理想选择dzsc/19/1276/19127674.jpg关于永吉茂: 深圳市永吉茂科技有限公司,专营低压MOS贴片。原厂原装,台产价格,。 SOT-23封装系列:2300 2301 2302 2312 3400 3401 3415 3416等等 SOP-8封装系列:9926 4946 4953 4410 4430 ...

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