特价热销IRFP360 MOS 场效应管
| 价 格： | 面议 | |
| 品牌： | IR/国际整流器 | |
| 型号： | IRFP360 | |
| 种类： | 绝缘栅(MOSFET) | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 导电方式： | 增强型 | |
| 用途： | MOS-INM/独立组件 | |
| 封装外形： | CER-DIP/陶瓷直插 | |
| 材料： | ALGaAS铝镓砷 | |
| 开启电压： | 1（V） | |
| 夹断电压： | 1（V） | |
| 低频跨导： | 1（μS） | |
| 极间电容： | 1（pF） | |
| 低频噪声系数： | 1（dB） | |
| 漏极电流： | 1（mA） | |
| 耗散功率： | 1（mW） |
IR MOS 场效应管飞捷电子是的功率器件分销商，致力于全面推广IR国际整流器件,国半,罗姆,INTERSIL,三菱电机,安森美,英飞凌，意法半导体,FUJI，仙童等国际知名品牌功率器件, 主要经营IGBT模块，整流二极管模块，IGBT单管，SPM模块，场效应管，快恢复二极管，肖特基二极管，智能电源开关管，IC等全线无铅产品。
| 产品种类: | MOSFET 功率 |
| RoHS: | dzsc/19/0518/19051810.jpg 详细信息 |
| 配置: | Single |
| 晶体管极性: | N-Channel |
| 电阻汲极/源极 RDS（导通）: | 0.2 Ohm @ 10 V |
| 汲极/源极击穿电压: | 400 V |
| 闸/源击穿电压: | /- 20 V |
| 漏极连续电流: | 23 A |
| 功率耗散: | 280000 mW |
| 工作温度: | 150 C |
| 安装风格: | Through Hole |
| 封装 / 箱体: | TO-247AC |
| 封装: | Tube |
| 最小工作温度: | - 55 C |
- 所属城市：广东 深圳
- [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
- 联系人： 杨宝林
- 电话：755-88250321
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特价热销仙童IRF7811A
信息内容：>>>飞捷电子是的功率器件分销商，致力于全面推广IR国际整流器件,国半,罗姆,INTERSIL,三菱电机,安森美,英飞凌，意法半导体,FUJI，仙童等国际知名品牌功率器件, 主要经营IGBT模块，整流二极管模块，IGBT单管，SPM模块，场效应管，快恢复二极管，肖特基二极管，智能电源开关管，IC等全线无铅产品。
热销仙童FQPF3N80
信息内容：Manufacturer:Fairchild Semiconductor Product Category:MOSFETs RoHS:dzsc/19/0544/19054489.jpg Details Product:General Purpose MOSFETs Configuration:Single Package / Case:TO-220F Transistor Polarity:N-Channel Drain-Source Breakdown Voltage:800 V Continuous Drain Current:1.8 A Power Dissipation:39000 mW Forward Transconductance gFS (Max / Min):2.3 S Resistance Drain-Source RDS (on):5 Ohm @ 10 V Typical Fall Time:30 ns Typical Rise Time:40 ns Typical Turn-Off Delay Time:30 ns Packaging:TUBE Gate-Source Breakdown Voltage: /- 30 V Maximum Operating Temperature:150 C Minimum Operating Temperature:- 55 C Type:MOSFET 仙童的代理商
