| 价 格: | 2.00 | |
| 品牌: | IR/仙童/INFINEON | |
| 型号: | 9N60 | |
| 种类: | 结型(JFET) | |
| 沟道类型: | N沟道 | |
| 导电方式: | 耗尽型 | |
| 用途: | MOS-FBM/全桥组件 | |
| 封装外形: | SMD(SO)/表面封装 | |
| 材料: | N-FET硅N沟道 | |
| 开启电压: | 600(V) | |
| 夹断电压: | 600(V) | |
| 跨导: | 24(μS) | |
| 极间电容: | 5600(pF) | |
| 低频噪声系数: | 34(dB) | |
| 漏极电流: | 500(mA) | |
| 耗散功率: | 600(mW) |
供应场效应管9N60供应场效应管9N60供应场效应管9N60供应场效应管9N60供应场效应管9N60供应场效应管9N60供应场效应管9N60供应场效应管9N60
"供应场效应管50N03供应场效应管50N03供应场效应管50N03供应场效应管50N03供应场效应管50N03供应场效应管50N03供应场效应管50N03供应场效应管50N03"
供应高压场效应管STB24NM65N供应高压场效应管STB24NM65N供应高压场效应管STB24NM65N供应高压场效应管STB24NM65N供应高压场效应管STB24NM65N