价 格: | 0.01 | |
品牌/商标: | IR/国际整流器 | |
型号/规格: | IRF2804STRLPBF TO-263 | |
种类: | 绝缘栅(MOSFET) | |
沟道类型: | N沟道 | |
导电方式: | 耗尽型 | |
用途: | L/功率放大 | |
封装外形: | SMD(SO)/表面封装 | |
材料: | N-FET硅N沟道 |
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dzsc/19/0492/19049205.jpg CBB21金属化聚丙烯膜电容器结构:金属化聚丙烯介质,无感卷绕,真空蒸金属电极, 镀锡导线 径向点焊于电容器两端面金属层,阻燃环氧粉末包封。特点:无感型、自愈性好,高频损耗小、高绝缘, 内部温升小,稳定性高、阻燃性强。用途:广泛应用于高频、直流、交流和脉冲电路; 适用于要求体积小、性能优的彩电S校正电路; 专为大屏幕显示器及彩电S校正电路设计; 适用于各种高频、大电流场合。尺寸:W31.7mm×H24.8mm×T15.7mm p30mm d0.8mm
dzsc/19/0498/19049894.jpgdzsc/19/0498/19049894.jpgdzsc/19/0498/19049894.jpg结构:金属化聚酯介质,无感卷绕,真空蒸金属电极,镀锡导线 径向点焊于电容器两端面金属层,阻燃环氧粉末包封。特点:无感型,尺寸紧凑、体积超小、重量轻,自愈性好、寿命长, 阻燃性强、可靠性高。用途:用于开关电源、电子镇流器、变频器等高密度插入 电子元器件电路板的中间电路直流滤波。