价 格: | 2.00 | |
漏极电流: | 00 | |
型号/规格: | K3405 | |
用途: | DC/直流 | |
品牌/商标: | FUJI/富士通 | |
沟道类型: | N沟道 | |
种类: | 结型(JFET) | |
导电方式: | 增强型 | |
低频噪声系数: | 00 | |
极间电容: | 00 |
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我公司是生产铝电解电容器和电阻的工厂,并享有自营进口权,公司拥有引进的先进全自动生产设备,检测仪器齐全。产品出厂全数检验,确保百分百的产品合格率,公司严格执行CD110标准,严格执行国家规定环保政策。我公司还设有一个电子元件配套部,为各类整机厂配套各类电子元器件,主要有二极管,各类电阻,瓷片电容等品种齐全,品质上乘,价格合理。本公司严格奉行“质量是企业的生命”“客户是企业的上帝“的原则确保一流的品质。极具市场竞争力的价格,所以业务一真不断持续发展。让我们一起努力,携手共进!
dzsc/19/1583/19158368.jpg dzsc/19/1583/19158368.jpgdzsc/19/1583/19158368.jpgdzsc/19/1583/19158368.jpg dzsc/19/1583/19158368.jpg MOS管是金属(metal)—氧化物(oxid)—半导体(semiconductor)场效应晶体管,或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。MOS管的source和drain是可以对调的,他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下,这个两个区是一样的,即使两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的。 双极型晶体管把输入端电流的微小变化放大后,在输出端输出一个大的电流变化。双极型晶体管的增益就定义为输出输入电流之比(beta)。另一种晶体管,叫做场效应管(FET),把输入电压的变化转化为输出电流的变化。FET的增益等于它的transconductance, 定义为输出电流的变化和输入电压变化之比。而P沟道常见的为低压Mos管。