价 格: | 0.40 | |
是否提供加工定制: | 否 | |
品牌/商标: | 进口 | |
型号/规格: | 2SB1132 | |
应用范围: | 开关 | |
材料: | 硅(Si) | |
极性: | NPN型 | |
集电极允许电流ICM: | 1(A) | |
集电极耗散功率PCM: | 1(W) | |
截止频率fT: | 1(MHz) | |
结构: | 面接触型 | |
封装形式: | 贴片型 | |
封装材料: | 塑料封装 |
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dzsc/19/0488/19048865.jpgⅡ类高电介质电容器主要成份以钛酸钡为主而制成,因具有高的功率因数故称"Hi-k"此类电容器容量大,内部阻抗小,低损耗,在电路中常作隔直流,旁路,耦合之用 1、 使用温度范围: -25 ~ 85℃ 2、静电容量: 在温度25±2℃以内、以1±0.1KHZ及Vrms=1.0v , 不超过容量精度要求 3、测试电压:按标称电压之2.5倍测试 4、绝缘阻抗:依额定电压±3%印加60±5秒达到,I.R≥10000MΩ 5、损耗角正切值: MAX 2.5%