价 格: | 0.80 | |
品牌: | SILAN/士兰微 | |
型号: | SVD2N60F | |
种类: | 结型(JFET) | |
沟道类型: | P沟道 | |
导电方式: | 增强型 | |
用途: | GEP/互补类型 | |
封装外形: | CHIP/小型片状 | |
材料: | IGBT绝缘栅比极 | |
开启电压: | .(V) | |
夹断电压: | .(V) | |
跨导: | .(μS) | |
极间电容: | .(pF) | |
低频噪声系数: | .(dB) | |
漏极电流: | .(mA) | |
耗散功率: | .(mW) |
长期现货供应SILAN士兰微场效应管600V、650V系列的高压MOS管,产品质量稳定,价格优惠
特点:
* 4A,650V,RDS(on)=2.3Ω@VGS=10V
* 低栅极电荷量
* 低反向传输电容
* 开关速度快
* 提升了dv/dt 能力
* 封装形式:TO-220F
SILAN的型号有:
SVD2N60F TO220F
SVD4N65F TO220F
SVD7N60F TO220F
SVD10N65F TO220F
SVD12N65F TO220F
SVD840 TO220
SVD1N60M TO251
SVD2N69M TO251