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IGBT吸收电容器0.47uf半成品

价 格: 11.00
品牌/商标:国产
型号/规格:IGBT吸收电容器0.47
介质材料:有机薄膜
应用范围:高频消振
外形:方块状
引线类型:同向引出线
允许偏差:±5(%)
标称容量:0.47μF(uF)
损耗:tanδ0≤ 2.0x10-4
额定电压:1200(V)

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型号:QD-1200-0.47

特点: 主要用于开关器件的瞬间尖峰吸收,也用于特大电流通过的场合.

     适用于电源设备,变频器,超声设备,大功率开关电路

常规技术参数

 容量公差  CN=1.0uF±3%                 工艺

额定电压:UN=1200VDC                     自愈式金属化薄膜电容器

额定电流:IN=18.5A                       干式结构,不含PCB

浪涌峰值电流Is≤100A            外壳

自感 Ls<10nH                          阻燃ABS,黑色                     

可重复浪涌电压Us<1800VDC             介质损耗 :tanδ0≤ 2.0x10-4                     

不可重复浪涌电压ǔ<2000VDC             产品损耗:tanδ≤2.0*10-4(1KHZ)                     

工作温度:-30℃~ 75℃                                  ≤5.0*10-4(10KHZ)

预期寿命:10小时

 

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铜陵市启动电子制造有限责任公司
公司信息未核实
  • 所属城市:安徽 铜陵
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dzsc/19/1146/19114679.jpg■ 特点·采用锌铝边缘加厚聚丙烯薄膜或网状安全膜为介质,阻燃环氧树脂灌封和阻燃方型ABS塑壳封装。具有体积小,电气性能稳定,安全可靠,寿命较长等特点。■ 用途· 广泛用于空调风机、电风扇、排风扇等频率为50Hz/60Hz交流电源供电功率相对较小的单相电机启动和运行。■ 技术规范·执行标准:GB3667-1997·技术特性: 气候类别:40/70/21·容量偏差:±5%·绝缘电阻:≥3000S·µF I.R·损耗角正切:tgδ≤0.002(50Hz~100Hz)■ 使用要求:·海拔:≤2000m·投入时的剩余电压:不超过额定电压的10%·允许电压:不超过1.1倍额定电压·允许电流:不超过1.3倍额定电流引出端为187#(250#)单(双)焊片、镀锡铜线或RU软线。

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供应电焊机。电源设备,变频器,超声设备 IGBT吸收电容器

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dzsc/19/1316/19131684.jpg 型号: SFC-500-2.0/3.0/4.0/5.0/6.0特点: 主要起保护IGBT/GTO开关器件作用,也用于特大电流通过的场合. 适用于电源设备,变频器,超声设备,大功率开关电路常规技术参数 容量公差 CN=2.0/3.0/4.0/5.0/6.0uF±3% 介质损耗:tanδ0≤ 2.0x10-4 额定电压:UN=500VAC;UN=1800VDC 产品损耗:tanδ≤2.0*10-4(1KHZ) 工作电流:IN≤200A ≤5.0*1O-4(10KHZ) 浪涌峰值电流Is≤10KA 工艺 自感 Ls<10nH 自愈式金属化薄膜电容器可重复浪涌电压Us≤2500VDC 干式结构,不含PCB 非可重复浪涌电压ǔ<3000VDC 外壳:黑色阻燃ABS塑壳 工作温度:-30℃~ 75℃ 端子:Ф15镀锡铜电极,开M6*10内孔预期寿命:10万小时 扭矩:6Nm

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