供应一系列N沟道场效应整流器MOSFET三极管
| 价 格： | 面议 | |
| 加工定制： | 是 | |
| 品牌： | IR/国际整流器 | |
| 型号： | IRFBE30PBF IRFBC40PBF IRFBC40APBF HFA08TB60PBF HFA16TA60CPBF IRFR120NPBF | |
| 应用范围： | 金属氧化 | |
| 整流元件： | 三极管 | |
| 功率特性： | 中功率 | |
| 频率特性： | 低频 | |
| 交流输入电压： | 1（V） | |
| 直流输出电压： | 1（V） | |
| 直流输出电流： | 1（A） | |
| 正向峰值电压： | 1（V） | |
| 反向重复峰值电压： | 1（V） | |
| 反向重复峰值电流： | 1（mA） | |
| 绝缘电压： | 1（V） | |
| 工作结温： | 105（℃） | |
| 效率： | 1（%） | |
| 集电极允许电流ICM： | 1 | |
| 截止频率fT： | 1 | |
| 集电极耗散功率PCM： | 1 |
IRFBE30热门型号分析
基本参数：
制造商编号：IRFBE30
制造商：Vishay
描述：MOSFET N-CH 800V 4.1A TO-220AB
FET型 ：MOSFET N通道，金属氧化物
FET特点 ： 标准型
开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25°C：3欧姆@ 2.5A, 10V
漏极至源极电压(Vdss)：800V
电流-连续漏极(Id) @ 25°C：4.1A
Id时的Vgs(th)（） ：4V @ 250μA
闸电荷(Qg) @ Vgs：78nC @ 10V
在Vds时的输入电容(Ciss)：1300pF @ 25V
功率- ：125W
安装类型 ：通孔
封装/外壳 ：TO-220-3
包装 ： 管件
深圳长期库存:
30CPQ100，40CPQ100，HFA08TB60，HFA16TA60C，IR2103，IR2103S，IR2110，IR2153，IR2153S，IRF1010E，IRF1404，IRF1405，IRF2807，IRF3205，IRF3710，IRF4905，IRF530，IRF5305，IRF530N，IRF540N，IRF630N，IRF640N，IRF730，IRF740，IRF830，IRF840，IRF9530N，IRF9540N，IRF9630，IRF9640，IRF9Z24N，IRF9Z34N，IRFZ24N，IRFZ34N，IRFZ44N，IRFZ48N，IRFP150N，IRFP250N，IRFP260N，IRFP264，IRFP450，IRFP460，IRFP460A，IRFBE30，MBR20100CTK，8ETH06，15ETH06，IRFP150，IRFP350，IRFP360，IRFD120，IRFP460LC，IRFP054N，IRFP064N，IR2520D，IRLML2502，IRLML6302，IRL3803S，IRF5210，IRFP9240，IRFP240，2SK2645，MC33063ADR2G，MC34063ADR2G，STP60NF06，STP30NF10，VIPER22A，VIPER12A，STP75NF75，STP65NF06，STP55NF06，MUR860G，11DQ10，IRF610，IRF9610，IRF5210，IRFR120N，IRFR220N
- 所属城市：广东 深圳
- [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
- 联系人： 刘镇双
- 电话：0755-61303735
- 传真：0755-61303735
- 手机：
- QQ ：
供应电子元器件一系列双向晶闸管可控硅三极管
信息内容：品牌：ST封装：TO-220基本参数：电压, Vdrm:600V电流, Igt:50mA电流, It 有效值:16A电流, Itsm (50Hz):160A保持电流:50mA电压, Vgt:1.5VPeak Gate Power Pgm:1W工作温度范围:-40??C to 125°C针脚数:3封装类型:TO-220AB电流, Itsm:170A器件标记:BTA16-600B晶闸管/双向晶闸管类型:双向晶闸管(TRIAC)栅极触发电流, Igt, (Q1), t2 g :50mA电压, Vrrm:600V电流, Itsm (60Hz):168A电流, t2 g-:50mA电流, t2-g :100mA电流, t2-g-:50mA表面安装器件:通孔安装
供应一系列贴片小功率高频开关放大三极管
信息内容：型号：S8050厂家：长电基本参数：应用范围 ：放大 功率特性 ：小功率 频率特性 ：高频 极性 ：NPN型 结构 ：点接触型 材料 ：硅(Si) 封装材料 ：塑料封装 特征频率 ：190（MHz） 集电极允许电流 ：0.5（A） 集电极允许耗散功率 ：0.225（W） 封装：SOT-23 "
