价 格: | 1.00 | |
材料: | 陶瓷 | |
种类: | 霍尔 | |
加工定制: | 否 | |
防护等级: | LV200-AW/2/3200 | |
材料物理性质: | 半导体 | |
型号: | LV200-AW/2/3200 | |
材料晶体结构: | 多晶 | |
线性度: | LV200-AW/2/3200(%F.S.) | |
迟滞: | LV200-AW/2/3200(%F.S.) | |
重复性: | LV200-AW/2/3200(%F.S.) | |
漂移: | LV200-AW/2/3200 | |
分辨率: | LV200-AW/2/3200 | |
品牌: | LEM/莱姆 | |
输出信号: | 数字型 | |
灵敏度: | LV200-AW/2/3200 | |
制作工艺: | 薄膜 | |
应用范围: | 其他 |
LV200-AW/2/3200,全新瑞士LEM莱姆传感器LV 200-AW/2/3200现货
技术数据
输出继电器类型 Instantaneous
技术 Closed loop Hall Effect
测量 Voltage
原边理论值 3200 V
精度 : 1 %
封装 : -
测量范围 4800 V
供电电压 15 - 24
供电电压类型 Bipolar
副边信号 80 mA
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LT2005-T,全新LEM莱姆霍尔电流互感器LT 2005-T,现货抢购中!技术数据 输出继电器类型Instantaneous技术Closed loop Hall Effect测量Current原边理论值2000 A精度 :0.3 %封装 :-测量范围3000 A供电电压15 - 24供电电压类型Bipolar副边信号400 mAdzsc/19/0345/19034572.jpg"
LA125-P,全新原装LEM莱姆传感器LA 125-P,现货热卖中!技术数据 输出继电器类型Instantaneous技术Closed loop Hall Effect测量Current原边理论值125 A精度 :0.8 %封装 :-测量范围200 A供电电压12 - 15供电电压类型Bipolar副边信号125 mAdzsc/19/0367/19036777.jpg"