CM75DY-28H 参数
标准包装2
类别半导体模块 家庭
IGBT 类型-
配置半桥 电压 - 集电极发射极击穿()
Vge, Ic时的Vce(开)4.2V @ 15V, 75A
电流 - 集电极 (Ic)()75A
电流 - 集电极截止()1mA
Vce 时的输入电容 (Cies)15nF @ 10V
功率 - 600W
输入标准型
NTC 热敏电阻无
安装类型底座安装
型号(2 U 600V)IGBT 技术指标
CM50DY-28H 50A/1400V/2U
CM75DY-28H 75A/1400V/2U
CM50DY-12H(E) 50A/600V/2U
CM75DY(DU)-12H(E) 75A/600V/2U
CM100DY(DU)-12H(E) 100A/600V/2U
CM150DY(DU)-12H(E) 150A/600V/2U
CM200DY(DU)-12H(E) 200A/600V/2U
CM300DU-24H 参数 标准包装1 类别半导体模块 家庭 IGBT 类型- 配置半桥 电压 - 集电极发射极击穿() Vge, Ic时的Vce(开)3.7V @ 15V, 300A 电流 - 集电极 (Ic)()300A 电流 - 集电极截止()1mA Vce 时的输入电容 (Cies)45nF @ 10V 功率 - 1130W 输入标准型 NTC 热敏电阻无 安装类型底座安装 型号(2 U 600V)IGBT 技术指标 CM50DY-12H(E) 50A/600V/2U CM75DY(DU)-12H(E) 75A/600V/2U CM100DY(DU)-12H(E) 100A/600V/2U CM150DY(DU)-12H(E) 150A/600V/2U CM200DY(DU)-12H(E) 200A/600V/2U
CM200DU-24H 参数 标准包装1 类别半导体模块 家庭 IGBT 类型- 配置半桥 电压 - 集电极发射极击穿() Vge, Ic时的Vce(开)3.7V @ 15V, 200A 电流 - 集电极 (Ic)()200A 电流 - 集电极截止()1mA Vce 时的输入电容 (Cies)30nF @ 10V 功率 - 1130W 输入标准型 NTC 热敏电阻无 安装类型底座安装 型号(2 U 600V)IGBT 技术指标 CM50DY-12H(E) 50A/600V/2U CM75DY(DU)-12H(E) 75A/600V/2U CM100DY(DU)-12H(E) 100A/600V/2U CM150DY(DU)-12H(E) 150A/600V/2U CM200DY(DU)-12H(E) 200A/600V/2U