BFQ591-SOT89微波NPN超高频宽带三极管，原厂生产
| 价 格： | 0.32 | |
| 封装形式： | 贴片型 | |
| 型号/规格： | BCP-P72 | |
| 材料： | 硅(Si) | |
| 品牌/商标： | 国产 | |
| 应用范围： | 放大 |
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北京鼎霖电子科技有限公司成立于2007年12月，公司的4英寸0.5微米半导体特种工艺生产线，主要从事民用及军工等特种半导体器件的研制及生产。该4英寸半导体工艺生产线于2005年引进了STS的深刻蚀与淀积设备、SUSS的双面曝光设备、VALIAN电真空蒸发设备、KDF的金属淀积设备及离子注入设备，与国产的清洗、扩散氧化炉管等产品配套，形成了完整的通用及特种半导体器件生产线。已分别生产了军用微波P波段雷达专用功率三极管、肖特基二极管、系列民用微波低噪声三极管、大功率快恢复功率二极管、MEMS器件等产品，月产量达到5000圆片。
我公司在为军工相控阵雷达生产高频微波功率三极管的基础上,为民用市场研制开发了管2SC3356、2SC3357、BFQ591、BFG591、2SC4226、BFR951等高频微波三极管,其中,BFQ591、PBR951、BFG591产品为国内推出，具有增益高、噪声小、产品一致性好等优点，其性能指标达到国际先进水平，完全可以取代国外NEC、PHILIPS等公司的同类型产品，并且已经形成量产，该系列产品广泛应用于电视机顶盒、有线电视放大器、卫星接收器、视频模块、射频模块、无线遥控器、雷达感应开关等产品上。
公司于2008年1月通过了ISO9001-2000质量体系认证，秉承顾客至上、管理规范、用心创造、品质精良的质量观念。所产产品广泛应用于军工、民用电子整机产品上，受到广大客户的普遍好评及认可。
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雷达感应开关专用高频微波三极管PBR951-W2-SOT23厂家直销
信息内容：该产品以频率高、封装尺寸小、功率大、高频性能好、性价比高为特点，广泛应用于雷达感应开关模块上，北京鼎霖电子科技有限公司专门为该产品设计了放大倍数在：85-130，并且该品的噪声更小，线性均匀，使其一致性更好，样品试用调制好以后，不用再改变，方便使用。具体电气性能如下： PBR951NPNTRANSISTOR (NPN)MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIERNPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR 简述： 本芯片采用硅外延工艺制造；具有高功率增益放大以及低噪声系数特性,具有较宽的动态范围，低失真，理想的电流线性； 主要应用于无线遥控、无线通讯、MATV、CATV放大和RF通信用户设备上； 其基本性能指标等同于PHILIPS公司的PBR951、BFR93（A）、BFR520等产品； 封装形式：SOT-23； 集电极-基极击穿电压：BVCBO=20V，集电极电流：IC=100mA；集电极功率：PC=500mW,特征频率：fT=7GHz。 极限参数（Tamb=25℃）：参数名称符号额定值单位集电极-基极击穿电压BVCBO20V集电极-发射极击穿电压BVCES10V发射极-基极击穿电压BVEBO1.5V集电极电流IC100mA耗散功率...
供应PBR951高频微波三极管4寸晶圆裸片
信息内容：北京鼎霖电子科技有限公司成立于2007年12月，公司的4英寸0.5微米半导体特种工艺生产线，主要从事民用及军工等特种半导体器件的研制及生产。 该4英寸半导体工艺生产线于2005年引进了STS的深刻蚀与淀积设备、SUSS的双面曝光设备、VALIAN电真空蒸发设备、KDF的金属淀积设备及离子注入设备，与国产的清洗、扩散氧化炉管等产品配套，形成了完整的通用及特种半导体器件生产线。已分别生产了肖特基二极管、微波功率器件、快恢复功率二极管、MEMS器件等产品，月产量达到5000片晶圆。公司于2008年1月通过了ISO9001-2000质量体系认证，秉承顾客至上、管理规范、用心创造、品质精良的质量观念。所产产品广泛应用于军工、民用电子整机产品上，受到广大客户的普遍好评及认可。我基于生产军用雷大功率器件的经验，公司继续开发生产了系列高频微波三极管，PBR951为本公司国内推出，其具有插入增益高、噪声系数小、封装尺寸小、fT频率高等优点，其同PHILIPS公司同型号产品具有相同甚至更优越的性能参数，广泛应用于射频模块、视频放大器、卫星电视高频头、雷达感应开关等产品上，欢迎广大客户使用。dzsc/19/0789/19078918.jpgdzsc/19/0789/19078918.jpgdzsc/19/0789/19078918.jpgdzsc/19/0...
