场效应管 KIA4N60PF,KIA4N60,4N60
| 价 格： | 面议 | |
| 漏极电流： | 4.4A | |
| 材料： | N-FET硅N沟道 | |
| 种类： | 绝缘栅(MOSFET) | |
| 型号/规格： | KIA4N60PF,MOS,600V,4A,2.4Ω,220F | |
| 封装外形： | P-DIT/塑料双列直插 | |
| 品牌/商标： | KIA | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 导电方式： | 增强型 | |
| 夹断电压： | ±30 | |
| 极间电容： | 670 |
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KIA4N60PF,MOS,600V,4A,2.4Ω,220F,代理，价格优势
1 . Description
The KIA4N60H N-Channel enhancement mode s ilicon gate power MOSFET is designed
for high voltage, high speed power switchingapplications such as sw itching regulators, switching
converters,solenoid, motor drivers, relay drivers.
2 . Features
RDS(ON) =2.5 ? @ VGS=10V
Low gate charge (typcal 16nC)
High ruggedness
Fast switching capability
Avalanche energy specified
Improved dv/dt capability
MOS管，广泛应用于电池充电器，普通电源，智能开关电源，灯具
功率开关，LED，车载，玩具，电动车，电脑主板.
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三极管 FJPF3305H1TU FJPF3305,J3305-1
信息内容：新到货全新，现货供应，价格优惠！型号封装年份品牌类型极性电压电流电阻FJPF3305H1TUTO-220F06NPBFAIRCHILDDIP/三极管NPN400V4A FJPF5027-OTUTO-220F07NPBFAIRCHILDDIP/三极管NPN800V3A BU406TUTO-22007NPBFAIRCHILDDIP/三极管NPN200V7A FJP5555TUTO-22007NPBFAIRCHILDDIP/三极管NPN400V5A KSC1507YTUTO-22005NPBFAIRCHILDDIP/三极管NPN300V0.2mA TM3055A-TLSOT-25203 SANYOSMD/MOSN场60V8A0.15Ω2SK3272-01SSOT-26301 FUJSMD/MOSN场60V80A0.0065ΩAOD438SOT-25207NPBAOSMD/MOSN场30V85A0.0035Ω<友情提示>具体价格视当天市场行情而定.买家请通过电话或贸易通在线联系，以确定当日市场价格。以免造成双方的误会与纠纷，谢谢您！全新!价格优惠!现货供应! 以优势说话ON三极管系列：MJD32,MJD41,MJD45H11,MJD42,MJD31,MJD2955MJD3055,MJD44H11,MJD210PHILIPS三极管系列：PBSS5540,BD139,BD237-71,BD237,BD436,BD236,BD438PHE13005,BD138,BD136,BSP60,BD437,BC546,BC636BCP53,BD435,BD235,BD140,BCP52,BCP69,BC337-40BCP51,BUT12AI,BC327,BC337-25,BD137,BD238ST三极管系列：BD437 ,MJD340,MJD350,TIP31A,N715,S9014CSTPSA42,BD436 ,STD880,TIP31A,STBU...
可控硅 Z9S Z0109SN Z0107SN Z7S
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