供应H6N03LA
| 价 格： | 1.00 | |
| 品牌： | INFINEON/英飞凌 | |
| 型号： | H6N03LA | |
| 种类： | 绝缘栅(MOSFET) | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 导电方式： | 耗尽型 | |
| 用途： | MOS-TPBM/三相桥 | |
| 封装外形： | SMD(SO)/表面封装 | |
| 材料： | GE-N-FET锗N沟道 | |
| 开启电压： | 45（V） | |
| 夹断电压： | 45（V） | |
| 跨导： | 30（μS） | |
| 极间电容： | 30（pF） | |
| 低频噪声系数： | 30（dB） | |
| 漏极电流： | 30（mA） | |
| 耗散功率： | 45（mW） |
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蔡楚杰
公司信息未核实
- 所属城市：广东 汕头
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