价 格: | 19.00 | |
品牌: | IXY美国电报半导体 | |
型号: | IXGH39N60BD1 | |
种类: | 绝缘栅(MOSFET) | |
沟道类型: | N沟道 | |
导电方式: | 增强型 | |
用途: | D/变频换流 | |
封装外形: | SP/特殊外形 | |
材料: | IGBT绝缘栅比极 | |
开启电压: | 600(V) | |
夹断电压: | 0(V) | |
跨导: | 0(μS) | |
极间电容: | 0(pF) | |
低频噪声系数: | 0(dB) | |
漏极电流: | 7600000(mA) | |
耗散功率: | 0(mW) |
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