| 价 格: | 2.80 | |
| 品牌: | IR/国际整流器 | |
| 型号: | IRF3205 | |
| 种类: | 结型(JFET) | |
| 沟道类型: | N沟道 | |
| 导电方式: | 耗尽型 | |
| 用途: | MW/微波 | |
| 封装外形: | CER-DIP/陶瓷直插 | |
| 材料: | N-FET硅N沟道 | |
| 开启电压: | 6(V) | |
| 夹断电压: | 6(V) | |
| 低频跨导: | 6(μS) | |
| 极间电容: | 6(pF) | |
| 低频噪声系数: | 65(dB) | |
| 漏极电流: | 9(mA) | |
| 耗散功率: | 6(mW) |
| 场效应 | G60N100 |
| 场效应 | IRFP4227 |
| 场效应 | IRF540 |
| 场效应 | 20N60 |
| 场效应 | 12N60 |
| 场效应 | 10N60 |
| 场效应 | 7N60 |
| 场效应 | 8N60 |
| 场效应 | 12N60 |
| 场效应 | 10N60 |
| 场效应 | 7N60 |
| 场效应 | 8N60 |
| 场效应 | TRF460 |
| 场效应 | 11N90 |
| 场效应 | 9N90 |
| 场效应 | 160N60 |
| 场效应 | IRF540 |
| 场效应 | IRF3205 |
| 场效应 | IRF540 |
| 场效应 | IRF540 |
| 场效应 | IRF540 |
| 场效应 | IRF540 |
| 场效应 | IRF540N |
| 场效应 | 11N90 |