新颖特大功率三极管模块（1000W)
| 价 格： | 面议 | |
| 加工定制： | 是 | |
| 品牌/商标： | 衡字牌 | |
| 型号/规格： | TDM | |
| 应用范围： | 高反压 | |
| 材料： | 硅(Si) | |
| 极性： | NPN型 | |
| 集电极允许电流ICM： | 100（A） | |
| 集电极耗散功率PCM： | 1000（W） | |
| 截止频率fT： | 9（MHz） | |
| 结构： | 扩散型 | |
| 封装形式： | 直插型 | |
| 封装材料： | 塑料封装 | |
| 营销方式： | 厂家直销 | |
| 功率特性： | 大功率 | |
| 产品性质： | 新品 |
本公司是各类三极管研制、开发、生产的军工骨干企业，武器装备部“军用电子元器件合格供应商”，武器装备承制单位三级保密单位，航空航天部高难度军用电子产品定点生产军工单位,
产品品种：
低频大功率三极管（3DD、2SD、2N、3DF、BU、3CF、3DA系列）开关三极管（3DK、FK系列）
达林顿功率三极管（FH、YZ系列)
特大功率晶体管模块（TDM300、500、1000系列）
场效应管系列（IRF、HVN10~100M05~40）
IGBT系列变频功率模块(SKM、CM系列)
主要参数：功率Pcm=10~1000W, Icm=30-150A
BVceo≥150V, BVCBO≥200V, 放大倍数≥30，,
产品用途：
广泛应用于音响系统工程、工业自动化控制、多种频率转换电源、大功率超声波设备、雷达、机床大功率伺服电机系统，科研、军用航空航天电源开关放大、雷达宽频带噪声干扰放大、潜艇声纳终端显示器偏转系统放大、防空导弹、消防、警用功放电路的各种低频大功率负载驱动等军民用领域。可根据用户特殊需要定制各类高难度电力电子元器件，欢迎新老客户惠顾。
质量保证：
采用军工质量保证体系标准组织生产，全程由军代表监督执行dzsc/19/0079/19007939.jpg
dzsc/19/0079/19007939.jpg
dzsc/19/0079/19007939.jpg
dzsc/19/0079/19007939.jpg
- 所属城市：湖南 衡阳
- [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
- 联系人： 李琦晟
- 电话：0734-8490339
- 传真：0734-8490339
- 手机：
- QQ ：
FK309高反压开关三极管
信息内容：1、荣誉资质：各类三极管研制、开发、生产的军工骨干企业，武器装备部“军用电子元器件合格供应商”，武器装备承制单位三级保密单位，航空航天部高难度军用电子产品定点生产军工单位,2、产品品种：低频大功率三极管（3DD、2SD、2N、3DF、BU、3CF、3DA系列）开关三极管（3DK、FK系列）达林顿功率三极管（FH、YZ系列)特大功率晶体管模块（TDM300、500、1000系列）场效应管系列（IRF、HVN10~100M05~40）IGBT系列变频功率模块(SKM、CM系列)3、主要参数：功率Pcm=10~1000W,Icm=30-150ABVceo≥150V, BVCBO≥200V, 放大倍数≥30，,Ts＜1.2微秒4、产品用途：广泛应用于音响系统工程、工业自动化控制、多种频率转换电源、大功率超声波设备、雷达、机床大功率伺服电机系统，科研、军用航空航天电源开关放大、雷达宽频带噪声干扰放大、潜艇声纳终端显示器偏转系统放大、防空导弹、消防、警用功放电路的各种低频大功率负载驱动等军民用领域。可根据用户特殊需要定制各类高难度电力电子元器件，欢迎新老客户惠顾。4、质量保证：采用军工质量保证体系标准组织生产，全程由军代表监督执行dzsc/19/0534/19053400.jpgdzsc/19/0534/19053400.jpgdzsc/19/0534/19053400.jpgdz...
进口芯片高品质2SC2078三极管
信息内容：Collector-to-Base Voltage VCBO 80 V Collector-to-Emitter Voltage VCER RBE=150W 75 V Emitter-to-Base Voltage VEBO 5 V Collector Current IC 3 A Collector Current (Pulse) ICP 5 A Collector Dissipation PC 1.2 W Tc=50°C 10 W Junction Temperature Tj 150 °C Storage Temperature Tstg –55 to 150 °C at Ta = 25°C Parameter Symbol Conditions Ratings Unit min typ max Collector Cutoff Current ICBO VCB=40V, IE=0 10 μA Emitter Cutoff Current IEBO VEB=4V, IC=0 10 μA DC Current Gain hFE VCE=5V, IC=0.5A 25* 200* Gain-Bandwidth Product fT VCE=10V, IC=0.1A 100 150 MHz Output Capacitance Cob VCB=10V, f=1MHz 45 60 pF Collector-to-Emitter Saturation Voltage VCE(sat) IC=1A, IB=0.1A 0.15 0.6 V Base-to-Emitter Saturation Voltage VBE(sat) IC=1A, IB=0.1A 0.9 1.2 V
